第四章半导体存储器 第一节存储器的分类 第二节随机存取存储器 第三节只读存储器 第四节存储器的并行扩展及连接方法 第五节串行存储器的扩展方法 Micro Controller Unit
第四章 半导体存储器 第一节 存储器的分类 第二节 随机存取存储器 第三节 只读存储器 第四节 存储器的并行扩展及连接方法 第五节 串行存储器的扩展方法
本章要点 简单介绍单片机系统中使用的存储器结 构性能及其用途。 存储器的并行护展,扩展时的地址确定, 以及与单片机的连接方法。 两线制与三线制的串行存储器/2C和 SP总线的编程
本章要点 • 简单介绍单片机系统中使用的存储器结 构性能及其用途。 • 存储器的并行扩展，扩展时的地址确定， 以及与单片机的连接方法。 • 两线制与三线制的串行存储器， 和 SPI总线的编程。 I C 2
第一节存储器的分类 半导体存储器 随机存取存储器 只读存储器 双极型 MOS型 固可编紫电 定编程外擦 掩程的线除速 静动膜的司 型 态态 为 因擦在 除 程 可的器 返回本章首页
第一节 存储器的分类 半导体存储器 静 态(SRAM) 动 态(DRAM) 固 定 掩 膜 型ROM 、 可 编 程 的PROM 紫 外 线 可 擦 除 可 编 程 的EPROM 电 擦 除 可 编 程 的EEPROM 闪 速 型 存 储 器 随机存取存储器 双极型 MOS型 只读存储器 返回本章首页
第二节随机存取存储器 静态RAM结构 存储器由若干个能够存 储0和1两种数码的基本存 地址选择 V3VI 储电路所组成,静态RAM 线y5 V6 的基本存储电路是双稳态 触发器。以静态RAM为例 每个触发器包含6个NMOS 置数端 V2 管,它具有两个稳态,分 置数端 别代表0和1两种状态,其 结构如图
第二节 随机存取存储器 一、静态RAM结构 存储器由若干个能够存 储0和1两种数码的基本存 储电路所组成，静态RAM 的基本存储电路是双稳态 触发器。以静态RAM为例， 每个触发器包含6个NMOS 管，它具有两个稳态，分 别代表0和1两种状态，其 结构如图 ：
二、动态RAM结构 动态RAM通常采用MOS管栅极与源极 间的极间电容存储信息,由于电容上 的电荷会逐渐泄漏,因此要不断地对 被泄漏的电荷进行补充,这种补充称 为刷新。所以动态RAM片内要附加刷新 的逻辑电路。由于动态RAM使用的MOS 管少,功耗低,集成度高,可制成大 容量的存储器芯片
二、动态RAM结构 动态RAM通常采用MOS管栅极与源极 间的极间电容存储信息，由于电容上 的电荷会逐渐泄漏，因此要不断地对 被泄漏的电荷进行补充，这种补充称 为刷新。所以动态RAM片内要附加刷新 的逻辑电路。由于动态RAM使用的MOS 管少，功耗低，集成度高，可制成大 容量的存储器芯片