表8.2 EPROM的工作方式 芯片工作方式CEOE PGM47-004 27164編程 编程校捡LL 4数据输出引 「编程禁山且 27644编 pp H冖数据输出斗 未选中H4 27128编程L L数据输入 编程校验+L 选中心班 27256 4数据输入 编程校验LLVP"Vc 数据输出引 「编程禁止且且 未选中心 编程校验中L 202 编程禁止H4
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8.3程序存储器扩畏 EPROM的工作方式 表8-5 EPROM的5种工作方式 引脚信号 CE/PGM OF V D7~D0 读出 +5 V 程序读出 未选中 低高脉低低 低×高低高 +5V 高阻 编程 正 冲 +25V(或+12V) 程序写入 程序校验 +25V(或+12V) 程序读出 编程禁止 +25V(或+12V) 高阻 CE为0,芯片被选中,当OE为0时,把AB指定的 单元中内容输出到芯片的O7~O0(DB)上 2021/2/8 单片原理应用
2021/2/8 单片机原理及其应用 22 8.3 程序存储器扩展 EPROM的工作方式 为0，芯片被选中，当 为0时，把AB指定的 单元中内容输出到芯片的O7~O0（ DB）上 读 CE OE
8.3程序存储器扩畏 (2)未选中 CE=1时,2764未选中,此时,O7~00输出为高阻 状态,2764处于低功耗维持状态。 (3)编程 2764的Vp接指定的编程电压(如25V或125V)。 CE=0,OE=1,PGM=0时,2764处于编程方式,把程 序代码写入芯片。 写入存储单元的地址由地址线A12~A0确定,写入内 容从07~O0输入。 2021/2/8 单片原理应用
2021/2/8 单片机原理及其应用 23 （2）未选中 时，2764未选中，此时，O7~O0输出为高阻 状态，2764处于低功耗维持状态。 （3）编程 2764的VPP接指定的编程电压(如25V或12.5V)。 时，2764处于编程方式，把程 序代码写入芯片。 写入存储单元的地址由地址线A12~A0确定，写入内 容从O7~O0输入。 CE =1 CE 0, = OE 1, = PGM 0 = 8.3 程序存储器扩展
8.3程序存储器扩畏 (4)编程校验 编程校验是为了检查写入的内容是否正确。 编程校验时: vp保持编程电压; OE=0,CE=0,PGM=1时,按读方式把写入的内容读出。 (5)编程禁止 VPP保持编程电压,只要CE=1时,2764处于编程禁 止状态,禁止写入程序。 2021/2/8 单片原理应用
（5）编程禁止 VPP保持编程电压，只要 时，2764处于编程禁 止状态，禁止写入程序。 2021/2/8 单片机原理及其应用 24 （4）编程校验 编程校验是为了检查写入的内容是否正确。 编程校验时： VPP保持编程电压； OE 0, = CE 0, = PGM 1 = CE = 1 8.3 程序存储器扩展 时，按读方式把写入的内容读出
8.3程序存储器扩畏 832外部程序存储器扩展原理及时序 (一)外部程序存储器扩展使用的控制信号 (1)EA—用于片内、片外程序存储器配置,输入 信号。 当EA=0时,单片机的程序存储器全部为扩展的片外 程序存储器; 当EA=1时,单片机的程序存储器可由片内程序存储 器和片外程序存储器构成,当访问空间超过片内程序存 储器的地址范围时,CPU自动从片外程序存储器取指令。 (2)ALE用于锁存P0口输出的低8位地址。 2021/2/8 单片原理应用 25
2021/2/8 单片机原理及其应用 25 8.3.2 外部程序存储器扩展原理及时序 （一） 外部程序存储器扩展使用的控制信号 （1）EA——用于片内、片外程序存储器配置，输入 信号。 当EA=0时，单片机的程序存储器全部为扩展的片外 程序存储器； 当EA=1 时，单片机的程序存储器可由片内程序存储 器和片外程序存储器构成，当访问空间超过片内程序存 储器的地址范围时，CPU自动从片外程序存储器取指令。 （2）ALE——用于锁存P0口输出的低8位地址。 8.3 程序存储器扩展