72只读存储器ROM的扩展 工作时,ROM中的信息只能读出,要用特殊方式写入(固化信息),失电后可保持信息 不丢失。 1)掩膜RQOM:不可改写ROM 由生产芯片的厂家固化信息。在最后一道工序用掩膜工艺写入信息,用户只可读。 2)PROM:可编程ROM 用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连,当加入写脉冲,某些存储单元熔丝 熔断,信息永久写入,不可再次改写。 3) EPROM:可光擦除POM 用户可以多次编程。编程加写脉冲后,某些存储单元的PN结表面形成浮动栅,阻挡通 路,实现信息写入。用紫外线照射可驱散浮动栅,原有信息全部擦除,便可再次改写。 4) EEPROM:可电擦除PROM 既可全片擦除也可字节擦除,可在线擦除信息,又能失电保存信息,具备RAM、ROM的 优点。但写入时间较长。 5) Flash rom:可电擦除PROM
7.2 只读存储器ROM的扩展 工作时，ROM中的信息只能读出，要用特殊方式写入(固化信息)，失电后可保持信息 不丢失。 1) 掩膜ROM：不可改写ROM 由生产芯片的厂家固化信息。在最后一道工序用掩膜工艺写入信息，用户只可读。 2) PROM：可编程ROM 用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连，当加入写脉冲，某些存储单元熔丝 熔断，信息永久写入，不可再次改写。 3)EPROM：可光擦除PROM 用户可以多次编程。编程加写脉冲后，某些存储单元的PN结表面形成浮动栅，阻挡通 路，实现信息写入。用紫外线照射可驱散浮动栅，原有信息全部擦除，便可再次改写。 4）EEPROM：可电擦除PROM 既可全片擦除也可字节擦除，可在线擦除信息，又能失电保存信息，具备RAM、ROM的 优点。但写入时间较长。 5） Flash ROM：可电擦除PROM
72只读存储器ROM的扩展 72127xx的引脚 27256 2764A27128A D0/1 27256A DI 12 D213数 27512A D315据 6 A D4 s 23[w 5 总线 D5 A 地址总线 D6L18 A A Al3 Al& NCA A7 D7L19 LAG AG AGC4 AsAsA As As As A9 A4A4 A406 AllAllAl A10 23 A UE All AIg AlgA A12 A2 A A2 A CE cE A13 A14 Ao 10 A15 0n0 000 2654321098765 C00000 0 控制总线 404 OE (VPP) CE GNDGND
7.2 只读存储器ROM的扩展 7.2.1 27xx的引脚 25 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 27256 10 CE OE (VPP) 9 8 5 4 3 7 6 11 12 13 17 18 19 15 16 22 20 A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14 A15 24 21 26 27 1 23 2 地 址 总 线 控 制 总 线 数 据 总 线