第三章半导体中的光现象 >扩散运动与漂移运动 s,=-n -D,4 dx dx2 Dp d2Ap(x)Ap(x) dx2 Ap(x)=Ae Lp=yDpt 电子科技大学光电学院陈德军
电子科技大学光电学院陈德军 第三章 半导体中的光现象 ➢ 扩散运动与漂移运动 dx d p x Sp Dp ( ) = − 2 2 ( ) ( ) d x d p x D d x d S x p p − = ( ) ( ) 2 2 p x d x d p x Dp = p p L x L x L D p x Ae Be p p = = + − ( )
第四章半导体二极管的物理机制 >扩散运动与漂移运动 Sp=-D dAp(x) 空穴扩散流密度：单位时间 dx 通过单位截面的粒子数 电子 （Jn)r=-gD dAp(x) 空穴扩散流电流密度：单位 dx 时间通过单位截面的电量 系数 dAn(x) 电子扩散流密度：单位时间 dx 通过单位截面的粒子数 d,=90,4 空穴扩散流电流密度：单位 dx 时间通过单位截面的电量 电子科技大学光电学院陈德军
电子科技大学光电学院陈德军 ➢ 扩散运动与漂移运动 dx d p x Sp Dp ( ) = − 空穴扩散流密度：单位时间 通过单位截面的粒子数 dx d p x J p qDp ( ) ) （ 扩 = − 空穴扩散流电流密度：单位 时间通过单位截面的电量 dx d n x Sn Dn ( ) = − 电子扩散流密度：单位时间 通过单位截面的粒子数 dx d n x J n qDn ( ) ) （ 扩 = 空穴扩散流电流密度：单位 时间通过单位截面的电量 电子 扩散 系数 第四章 半导体二极管的物理机制
第四章半导体二极管的物理机制 >扩散运动与漂移运动 漂移运动 (Jn)漂=qn,+△n)4n|E=qn4n|E1 (J)q(Po +Ap)upEl qpupEl 扩散运动 (Jn)扩=qDn dAn(x) dx (,)r =-qD,dyp(x) dx 总的电流密度 Jr=(J,)a+(J,)r=qpu[E-qD,dAp dx Jn=(Jn)漂+(Jn)扩=qnun|E|+qDn dAn d 电子科技大学光电学院陈德军
电子科技大学光电学院陈德军 ➢ 扩散运动与漂移运动 ( ) ( ) | | | | J n q n0 n n E qn n E 漂 ＝ + = ( ) ( ) | | | | J p q p0 p p E qp p E 漂 ＝ + = 漂移运动 扩散运动 dx d p x J p qDp ( ) ) （ 扩 = − dx d n x J n qDn ( ) ) （ 扩 = 总的电流密度 dx d p JP (JP ) (Jp ) qp p | E | qDp = + = − 漂 扩 dx d n Jn (Jn ) (Jn ) qn n | E | qDn = + = + 漂 扩 第四章 半导体二极管的物理机制
第四章半导体二极管的物理机制 >扩散运动与漂移运动 D.=KaT Mn 爱因斯坦关系式 Mp 均匀非平衡半导体的电流密度公式 J=qup(p E-KaT dAp)+qu,(mEAn) q dx dx 非均匀半导体的电流密度公式 qu(pE-Tdpdn) g dx g dx 电子科技大学光电信息学院陈德军
➢ 扩散运动与漂移运动 q D KB T n n = q D KB T p p = 爱因斯坦关系式 ( | | ) ( | | ) d x d n q K T q n E d x d p q K T J J J q p E B n B P n p + + = + = − ( | | ) ( | | ) d x d n q K T q n E d x d p q K T J q p E B n B = p − + + 均匀非平衡半导体的电流密度公式 非均匀半导体的电流密度公式 电子科技大学光电信息学院陈德军 第四章 半导体二极管的物理机制