第三章逻辑门电路 四、数字集成电路的集成度 块芯片中含有等效逻辑门或元器件的个数 小规模集成电路SSI <10门/片 mall Scale Integration或<100元器件/片 中规模集成电路MSI 10~99门/片 medium Scale Integration))或100~999元器件/片 大规模集成电路LSI 100~9999门/片 Large Scale Integration)或10009999元器件/片 wuHHuuuwwuHNdHHTNNHNdddwwWHNdWWdWWHNWwWWNNNWWWNNWNWWWWNNMNWWWNNNHNNNMNN 超大规模集成电路ⅥLSI>10000/片 ( Very Large Scale Integration或>10000元器件/片
第三章 逻辑门电路 四、数字集成电路的集成度 一块芯片中含有等效逻辑门或元器件的个数 小规模集成电路 SSI (Small Scale Integration) < 10 门/片 或 < 100 元器件/片 中规模集成电路 MSI (Medium Scale Integration) 10 ~ 99 门/片 或 100 ~ 999 元器件/片 大规模集成电路 LSI (Large Scale Integration) 100 ~ 9 999 门/片 或 1 000 ~ 99 999 元器件/片 超大规模集成电路 VLSI (Very Large Scale Integration) > 10 000 门/片 或 > 100 000 元器件/片
第三章逻辑门电路 3.1.2晶体二极管的开关特性 、静态特性 In/mA 正向 十 阳极C:N区/°k Ao|pP区 反向 导通区 PN结 阴极Ul6截止区 00.50.7 A。计。K 反向 击穿区 1.外加正向电压(正偏) 硅二极管伏安特性 二极管导通(相当于开关闭合)Un≈0.7V 2.外加反向电压(反偏) U<0.5V 二极管截止(相当于开关断开)n≈0
第三章 逻辑门电路 3. 1. 2 晶体二极管的开关特性 一、静态特性 1. 外加正向电压(正偏) 二极管导通(相当于开关闭合) UD 0.7 V 2. 外加反向电压(反偏) UD 0.5 V 二极管截止(相当于开关断开) I D 0 硅二极管伏安特性 阴极 A 阳极 K PN结 - A K + UD D I P区 N区 + + + + + + + + - - - - - - - - 正向 反向 导通区 截止区 反向 击穿区 0.5 0.7 I D /mA /V 0 U(BR) UD
第三章逻辑门电路 二极管的开关作用: 0.7V [例]电路如图所示, 2V或3V 1 试判别二极管的工作 状态及输出电压。 [解]u1=U1=-2V二极管截止lo=0V u1=Uu=3V二极管导通o=23V
第三章 逻辑门电路 D + - uI + - uO 二极管的开关作用： [例] uI = UI L = −2 V uO = 0 V uI = UI H = 3 V uO = 2.3 V 电路如图所示， uI = − 2 V 或 3 V 试判别二极管的工作 状态及输出电压。 二极管截止 二极管导通 [解] 0.7 VD + -
第三章逻辑门电路 动态特性 电容效应使二极管 1.二极管的电容效应的通断需要一段延 结电容C 迟时间才能完成 扩散电容CD 2.二极管的开关时间 tn—开通时间 tnm—关断时间 ton<<tor(tr)≤5ns (反向恢复时间) on
第三章 逻辑门电路 二、动态特性 1. 二极管的电容效应 结电容 C j 扩散电容 C D 2. 二极管的开关时间 on t of f t 电容效应使二极管 的通断需要一段延 迟时间才能完成 t uI D i t 0 0 (反向恢复时间) ( ) 5 ns o n off rr t t t ≤ ton — 开通时间 toff — 关断时间
第三章逻辑门电路 3.1.3晶体三极管的开关特性 静态特性(电流控制型) 1.结构、符号和输入、输出特性( Transistor) (1)结构 (2)符号 集电极 collector B 集电结 C 基极。 ase 发射结 发射极 emitter NPN
第三章 逻辑门电路 一、静态特性 NPN 3. 1. 3 晶体三极管的开关特性 发射结 集电结 发射极 emitter 基极 base 集电极 collector b iB iC e c (电流控制型) 1. 结构、符号和输入、输出特性 (2) 符号 N N P (Transistor) (1) 结构