21/132PN结的接触电位差二、1，内电场ε的建立，使PN结中产生了电位差，从而形成接触电位U。接触电位U.决定于材料及掺杂浓度?硅： U.=0.6～0.7 V锗: U=0.2～0.3 V's
21/132 U 内电场的建立，使PN结中产生 了电位差 ，从而形成接触电位U。 接触电位U决定于材料及掺杂浓度 二、PN结的接触电位差 硅： U=0.6～0.7 V 锗： U=0.2～0.3 V
22/132三、PN结的伏安特性1.PN结加正向电压时的导电情况P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏原理：外电场方向与PN外十结内电场方向相反，削弱了内电场。于是内电场对多子扩内散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。F元扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的结论：影响。PN结正偏时，呈现低阻性
22/132 三、PN结的伏安特性 1. PN结加正向电压时的导电情况 原理：外电场方向与PN 结内电场方向相反，削弱 了内电场。 于是内电场对多子扩 散运动的阻碍减弱，扩散 电流加大。 扩散电流远大于漂移 电流，可忽略漂移电流的 影响。 P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏； 内 外 结论： PN结正偏时，呈现低阻性
23/132(续)PN结的伏安特性三、12.PN结加反向电压时的导电情况P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏外原理：外电场与PN结内电场方向相同，增强内电场。内电场对多子扩散运动阻碍增强，扩散电流大大减内小。少子在内电场的作用下州形成的漂移电流加大。ER此时PN结区少子漂移电流大于扩散电流，可忽略扩结论：散电流。PN结反偏时，呈现高阻性，近似为截止状态
23/132 2. PN结加反向电压时的导电情况 原理：外电场与PN结内电场 方向相同，增强内电场。 内电场对多子扩散运动 阻碍增强，扩散电流大大减 小。少子在内电场的作用下 形成的漂移电流加大。 此时PN结区少子漂移电 流大于扩散电流，可忽略扩 散电流。 P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。 内 外 三、PN结的伏安特性（续） 结论： PN结反偏时，呈现高阻性， 近似为截止状态
24/132(续)PN结的伏安特性三、小结：PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈叫现高电阻，具有很小的反向3R漂移电流。结论是：PN结具有单向导电性。问题：有必要加电阻R吗？
24/132 结论是：PN结具有单向导 电性。 小结： PN结加正向电压时，呈 现低电阻，具有较大的正向 扩散电流； PN结加反向电压时，呈 现高电阻，具有很小的反向 漂移电流。 三、PN结的伏安特性（续） 问题：有必要 加电阻R吗？
25/132(续）PN结的伏安特性三、3.PN结电流方程由半导体物理可推出：I = Is(eu/Ut-1PN结两端的电压与流过PN结电流的关系式式中 I.→饱和电流;U_=kTlq→等效电压k→波尔兹曼常数；q为电子的电量；T=300k（室温）时U_=26mv
25/132 PN结两端的电压与 流过PN结电流的关系式 式中 Is 饱和电流; UT = kT/q 等效电压 k 波尔兹曼常数；q为电子的电量； T=300k（室温）时 UT= 26mv 由半导体物理可推出： ( 1) T S U U I I e 三、PN结的伏安特性（续） 3. PN结电流方程