业精于勤而荒厅 CPU生产工艺 4.2.1CMOS电路工作原理 1.MOS电容结构 ◆集成电路利用MOS电容作为电子开关器件。 ◆MOS电容由多晶硅(M)、二氧化硅(O)和半导体 (S)组成。 VG 多晶硅 M (栅极) 0 二氧化硅 S 掺杂硅衬底 (绝绿层) 16
信息技术教学实验中心 业精于勤而荒于 嬉 16 业精于勤而荒于嬉 4.2 CPU生产工艺 4.2.1 CMOS电路工作原理 1．MOS电容结构 集成电路利用MOS电容作为电子开关器件。 MOS电容由多晶硅（ 电容由多晶硅（M）、二氧化硅（ ）、二氧化硅（O）和半导体 （S）组成
业精于勤而厅》 CPU生产工艺 4.2.1CMOS电路工作原理 2.MOS晶体管工作原理 ◆MOS管有三个接口：栅极、源极、漏极，由栅极控制 漏极与源极之间的电流流动。 金属连接线 栅极G 金属连接线 (多晶硅) Gate 源极s 隔离层 Drains 漏极D N+ (Si02) N+ Sources 漏极 P型硅衬底 源极 17 信息技术教学实验中心
信息技术教学实验中心 业精于勤而荒于 嬉 17 业精于勤而荒于嬉 4.2 CPU生产工艺 4.2.1 CMOS电路工作原理 2．MOS晶体管工作原理 MOS管有三个接口：栅极、源极、漏极 栅极、源极、漏极，由栅极控制 漏极与源极之间的电流流动
业精于勤而、荒不》 CPU生产工艺 4.2.1CMOS电路工作原理 2.MOS晶体管工作原理 ◆源极与漏极完全对称，只有根据电流的流向才能确认 源极与漏极。 ◆栅极起着控制开关的作用，使MOS管在“开”和“关”两 种状态中进行切换。 18 信息技术教学实验中心
信息技术教学实验中心 业精于勤而荒于 嬉 18 业精于勤而荒于嬉 4.2 CPU生产工艺 4.2.1 CMOS电路工作原理 2．MOS晶体管工作原理 源极与漏极完全对称，只有根据电流的流向才能确认 源极与漏极。 栅极起着控制开关的作用，使 栅极起着控制开关的作用，使MOS管在“开”和“关”两 种状态中进行切换。 种状态中进行切换
业精于勤而花厅》 CPU生产工艺 4.2.1CMOS电路工作原理 3.CMOS电路工作原理 ◆CMOS电路由PMOS晶体管和NMOS晶体管互补配对 组成。 19 信息技术教学实验中心
信息技术教学实验中心 业精于勤而荒于 嬉 19 业精于勤而荒于嬉 4.2 CPU生产工艺 4.2.1 CMOS电路工作原理 3．CMOS电路工作原理 CMOS电路由PMOS晶体管和NMOS晶体管互补配对 组成
业精于勤而、荒正 CPU生产工艺 4.2.1CMOS电路工作原理 ◆CMOS中的PMOS管和NMOS管具有相反的特性（非 0即1)，当其中一个MOS管为关(OFF,对应逻辑0) 状态时，另一个MOS管则为开(ON,对应逻辑1) 状态。 G-0 “0” 开关不导通时， 开关导通时， NMOS晶体管 PMOS晶体管 电路状态为“0” 电路状态为“1” 硅晶体管对工作原理 20 信息技术教学实验中心
信息技术教学实验中心 业精于勤而荒于 嬉 20 业精于勤而荒于嬉 4.2 CPU生产工艺 4.2.1 CMOS电路工作原理 CMOS中的PMOS管和NMOS管具有相反的特性（非 管具有相反的特性（非 0即1），当其中一个MOS管为关（OFF，对应逻辑0） 状态时，另一个MOS管则为开（ON，对应逻辑1） 状态