例1.某p型半导体掺杂浓度NA=10cm3少子寿命=10us在均匀光的照射下产 生非平衡载流子,其产生率g=1018/cm3·s试计算室温时光照情况下的费米能级 并和原来无光照时的费米能级比较。设本征载流子浓度=1010cm-3 p. =N, =n, exp(-EE) 思路与解:(1)无光照时空穴浓度

1.Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体起施主作用的缺陷是()。 A.正高子填隙 B.正离子缺位 C.负离子填隙

例1室温下,本征锗的电阻率为472cm,试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质,使每10° 个锗原子中有一个杂质原子,计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原 子的浓度为4.4×102cm3,试求该掺杂锗材料的电阻率。设“=3600cm2V.s,且 认为不随掺杂而变化

例1.有一硅样品,施主浓度为D=2,受主浓度为=10cm,已知 施主电离能△ED=E-E=0.05eV,试求99%的施主杂质电离时的温度。 思路与解:令N和NA表示电离施主和电离受主的浓度,则电中性方程为:

例1.半导体硅单晶的介电常数=11.8,电子和空穴的有效质量各为n=0.97m, mm=0.19m和mp=0.16m,mp=0.53m。,利用类氢模型估计: (1)施主和受主电离能 (2)基态电子轨道半径

例1.证明对于能带中的电子,K状态和K状态的电子速度大小相等,方向相反。即: v(k)=-v(-k),并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零 思路与解:K状态电子的速度为 v(k)= 同理,一K状态电子的速度则为

一、选择填空(含多项选择) 1.与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量() A.比半导体的大B.比半导体的小C.与半导体的相等

热力学第一定律是能量守恒定律在涉及热现象宏观过程中的具体表 现。表现形式:温度,内能。 无序运动的能量怎样向有序运动转移?这种转移有什么规律?是 本章的主要研究内容。 注意:热力学第一定律不能完全描述能量转移规律。完全描述需 要热力学第二定律。另外,要把整个描述系统公理化(自恰系 统),还需要热力学第三定律

第一节热力学第二定律的表述及卡诺定理 (一)热力学第二定律的表述迄今为止,我们从第一原理得到的物理规律都是可逆的

第1童光的电磁理论与波动方程 第2章光在各向同性介质中的传播 第3章平面波的反射与折射 第4章衍射 第5章部分相干光理论 第6章部分相干光成象