2恒流区 预夹断后所对应的区域。 Gs UGSoff UGD Usom(或ps>ssom) i的大小几乎不受vps的控制。 (1)当 UGSotugs<0时,ls变化,曲线平移,i与us 符合平方律关系,ls对的控制能力很强 (2)ls固定,l增大,动增大极小 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 16
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 16 2.恒流区 iD的大小几乎不受uDS的控制。 预夹断后所对应的区域。 uGD<UGSoff（或uDS>uGS-UGSoff） uGS>UGSoff (1)当UGSoff<uGS<0时，uGS变化，曲线平移，iD与uGS 符合平方律关系， uGS对iD的控制能力很强。 (2) uGS固定，uDS增大，iD增大极小
3.截止区 当UGs<Uoso时,沟道被全部夹断,i=0, 故此区为截止区。 4击穿区 随着vs增大,靠近漏区的PN结反偏电压 lod(= uDs-u)也随之增大。 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 17 4.击穿区 随着uDS增大，靠近漏区的PN结反偏电压 uDG(=uDS-uGS)也随之增大。 当UGS<UGSoff时，沟道被全部夹断，iD=0， 故此区为截止区。 3. 截止区
二、转移特性曲线 uGS 0,i≥0 =/(a)2 恒流区中:iD=Ds GS Soff 式中:Ds饱和电流,表示s=0时的值; USOf夹断电压,表示ls=Us时b为零。 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 18
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 18 二、转移特性曲线 2 (1 ) GSoff GS D DSS U u i = I − D uGS u DS C i f = = ( ) 式中：IDSS——饱和电流，表示uGS=0时的iD值； UGSoff——夹断电压，表示uGS =UGSoff时iD为零。 恒流区中： uGS≤0， iD≥0
3-2绝缘栅场效应管( IGFET) 一、简介 栅极与沟道之间隔了一层很薄的绝缘体,其阻 抗比JFET的反偏FN结的阻抗更大。功耗低,集 成度高。 绝缘体一般为二氧化硅(SO2),这种 IGFET称 为金属一氧化物—半导体场效应管,用符号 MOSFET表示( Metal Oxide Semiconductor Field Effect transistor)。此外,还有以氮化硅为绝缘 体的 MNSFET等。 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 19
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 19 3―2 绝缘栅场效应管(IGFET) 栅极与沟道之间隔了一层很薄的绝缘体，其阻 抗比JFET的反偏PN结的阻抗更大。功耗低，集 成度高。 绝缘体一般为二氧化硅（SiO2），这种IGFET称 为金属——氧化物——半导体场效应管，用符号 MOSFET表示（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。此外，还有以氮化硅为绝缘 体的MNSFET等。 一、简介
二、分类 增强型N- EMOSFET N沟道 耗尽型 N-DMOSFET MOSFET P冷游/强型 P-EMOSFET 耗尽型 P-DMOSFET 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 20
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 20 MOSFET N沟道 P沟道 增强型 N-EMOSFET 耗尽型 增强型 耗尽型 N-DMOSFET P-EMOSFET P-DMOSFET 二、分类