双极型晶体管主要是利用基区非平衡少数载流子 的扩散运动形成电流。 场效应晶体管(场效应管)利用多数载流子的 漂移运动形成电流。 结型场效应管JFET (Junction FET 场效应管FET Field Effect Transistor)绝缘栅场效应管 IGFET (Insulated Gate FET 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 6 场效应晶体管（场效应管）利用多数载流子的 漂移运动形成电流。 场效应管FET (Field Effect Transistor) 结型场效应管JFET (Junction FET) 绝缘栅场效应管IGFET (Insulated Gate FET) 双极型晶体管主要是利用基区非平衡少数载流子 的扩散运动形成电流
3-1结型场效应管 3-1—1结型场效应管的结构及工作原理 结型场效应管的结构 Drain漏极 D Gate栅极 D箭头方向表示栅 G 源间PN结若加 型沟道 正向偏置电压时 实际 S栅极电流的实际 流向 s源极bs 流动方向 (a)N沟道JFET 结型场效应三极管的结构avi 图3—1结型场效应管的结构示意图及其表示符号 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 7
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 7 3―1 结型场效应管 3―1―1 结型场效应管的结构及工作原理 N 型 沟 道 P P D G S D S G (a)N沟道JFET 图3―1结型场效应管的结构示意图及其表示符号 Gate栅极 Source源极 Drain 漏极 箭头方向表示栅 源间PN结若加 正向偏置电压时 栅极电流的实际 流动方向 ID 实际 流向 结型场效应三极管的结构.avi 一、结型场效应管的结构
D D G 型沟道 N 实际 G 流向 S S (b)P沟道JFET 图3-1结型场效应管的结构示意图及其表示符号 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 8
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 8 P 型 沟 道 N N D G S D S G (b)P沟道JFET 图3―1结型场效应管的结构示意图及其表示符号 ID 实际 流向
二、结型场效应管的工作原理 ip=f(u GSDS D N G (a)UGs=0,沟道最宽 图3-2栅源电压Us对沟道的控制作用示意图 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 9
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 9 N D G S P P (a) UGS =0，沟道最宽 图3―2栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图 二、结型场效应管的工作原理 ( , ) D uGS uDS i = f
D 横向电场作用: 圈婴 lUas|↑→PN结耗尽层宽度↑ P →沟道宽度! GS (b)UGs负压增大,沟道变窄 图3-2栅源电压Us对沟道的控制作用示意图 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 10 (b) UGS负压增大，沟道变窄 D S P P UGS 图3―2栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图 横向电场作用： ︱UGS︱↑ ↑ →沟道宽度 → PN结耗尽层宽度 ↓