例题1判断、填空 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素, 可将其改型为P型半导体。() 因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带 负电。() PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零 二极管的电流方程是 ·稳压管的稳压区是其工作在
例题1 判断、填空 • 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素， 可将其改型为P型半导体。（ ） • 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带 负电。（ ） • PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 （ ） • 二极管的电流方程是 。 • 稳压管的稳压区是其工作在
3.1小结 三极管(晶体管,BJT)是电流控制器件 IC=lB+/cEo≈BB E +IcBO ≈OlE 三极管要实现放大作用,必须工作在放 大区
3.1小结 • 三极管（晶体管，BJT）是电流控制器件 • 三极管要实现放大作用，必须工作在放 大区。 C E CBO E C B CEO B I I I I I I I I = + = +
3节试题常见类型 ·三极管基础知识正确性的判断; 三极管工作状态的判断; 由管子的特性求解主要参数(例如给出一个输 出特性曲线,求β值)
3.1节试题常见类型 • 三极管基础知识正确性的判断； • 三极管工作状态的判断； • 由管子的特性求解主要参数（例如给出一个输 出特性曲线，求值）
例题 1,三极管在放大区时的集电极电流是由多 子漂移形成的?() 2,当三极管工作在放大区时,发射结电压 为偏置,集电结电压为偏置
例题 1，三极管在放大区时的集电极电流是由多 子漂移形成的？（ ） 2，当三极管工作在放大区时，发射结电压 为 偏置，集电结电压为 偏置
3,测得放大电路中三只晶体管的直流电位如图示, 分析他们的类型、管脚和所用的材料(硅或锗) 判断依据: 1.在放大区,NPN管:V≥VB>VE2.硅管:vaE=0.7 PNP管: VCSVBVE锗管 E=0.2V c/12v e|12V c|12V e 3.7V 113V 15V e b 3V oV 4.8V 硅管,NPN硅管,PNP锗管,PNP
3，测得放大电路中三只晶体管的直流电位如图示， 分析他们的类型、管脚和所用的材料（硅或锗）。 判断依据： 1.在放大区，NPN管：VCVB>VE PNP管： VCVB<VE 2.硅管：VBE=0.7V 锗管：VBE=-0.2V 3.7V 3V 12V 11.3V 0V 12V 15V 14.8V 12V 硅管，NPN b e c 硅管，PNP b c e e b c 锗管，PNP