2、材料磁化 磁畴壁在迁 移的过程中， 第二相粒子， 位错等缺陷 会降低其迁 移速度。 H
磁畴壁在迁 移的过程中， 第二相粒子， 位错等缺陷 会降低其迁 移速度。 2、材料磁化
2、材料磁化 物体被磁场磁化的程度与磁场强度有关 X=M/H 一磁化率，表示物质磁化性的重要参数。 物质可根据的不同分为顺磁、抗磁及铁磁三大类
2、材料磁化 χ＝ M / H 物质可根据χ的不同分为顺磁、抗磁及铁磁三大类. χ—磁化率，表示物质磁化性的重要参数。 物体被磁场磁化的程度与磁场强度有关
物质的抗磁性是普遍存在的 由于电磁感应 磁场中运动电子轨道发生变化，产生抗磁性： ·普遍存在； 值很小，通常被掩盖
物质的抗磁性是普遍存在的 由于电磁感应 磁场中运动电子轨道发生变化，产生抗磁性： 普遍存在； 值很小，通常被掩盖
2、材料磁化 ①00 000 000 ①①① ①①① 感应磁场 ①①① 888 00J 外磁场 粥
2、材料磁化 外磁场 感 应 磁 场
2、材料磁化 ①抗磁性Diamagnetic X<0,M与H方向相反 ; 磁化率%很小，-105~-106。 属于这类物质的金属有： Bi、Zn、Ag、Au、Mg。 初始状态是无序排列。 999 在外场作用下沿外场负 ⊙⊙@ 方向翻转
2、材料磁化 ①抗磁性Diamagnetic ＜0，M与H方向相反 ； 磁化率 很小，-10-5 ～-10-6 。 属于这类物质的金属有： Bi、Zn、Ag、Au、Mg。 初始状态是无序排列。 在外场作用下沿外场负 方向翻转。 S N F M