CC R C2 C4 B1(1+B3) C2 C3=1C4 B1(1+B5)+4 图4-4多路镜像电流源 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 11 UCC Rr I r V1 I C4 V4 V2 I C2 V3 I C3 V5 图4―4 多路镜像电流源 C C C r I I I I (1 ) 4 (1 ) 1 5 1 5 2 3 4 + + + = = =
集成电路中多路镜像电流源的实现 CC Ucc 3 Ic2 C3 C2 I r (a)三集电极横向PNP管电路 (b)等价电路 图4_5多集电极晶体管镜像电流源 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 12
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 12 I Rr r IC1IC2 UCC IC3 Rr Ir IC2 IC3 V3 V2 V1 UCC 图4―5多集电极晶体管镜像电流源 (a)三集电极横向PNP管电路 (b)等价电路 集成电路中多路镜像电流源的实现
三、比例电流源 CC BEL+IER=UBE2+lE2R2 R Un=U EI BI B2 Um=U In-E2 BEl BE2 Isi=ls2 El R R BEl BE2 =U. In - E -U In 图4-6比例电流源 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 13
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 13 三、比例电流源 Rr I r I C2 V1 V2 R2 UCC UBE1 UBE2 ＋ ＋ － － R1 I E2 I E1 I B1 I B2 图4―6比例电流源 1 1 1 2 2 R2 U I R U I BE + E = BE + E 1 1 1 ln S E BE T I I U =U 1 2 2 1 1 2 ln ln E E T E E BE BE T I I U I I U U U = − − = S1 S 2 I = I 2 2 2 ln S E BE T I I U = U
室温下,当两管的射极电流相差10倍时: UBEI -UBE2=U In EL=Ur In 10 60mv E2 仅为此时两管UB电压(>600mV)的10%。因此, U BELTUBE2 O UBEL+IER=UBE2+IE2R22>IER=IE2R2 若B>1,则lE1LlE2~l(2 CC BEl CC R R+R R+r C2 R 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 14 室温下，当两管的射极电流相差10倍时： U m V I I U U U T E E B E B E T ln ln 10 60 2 1 1 − 2 = = C r I R R I 2 1 2 若β>>1，则IE1≈Ir , IE2≈IC2 1 1 1 R R U R R U U I r CC r CC BE r + + − 仅为此时两管UBE电压(>600mV)的10%。因此， UBE1≈UBE2。 1 1 2 R2 I R I 1 1 1 2 2 R2 E = E U I R U I BE + E = BE + E
四、微电流电流源 Widlar current CC E2 (UBEL -)=n R R21 E2 A iR 2当B1>1时, ElNE2C2 R In C2 C2 R2已知/=1mA,要求(2=10A时 26×10-3,1000 R,= In ≈12k 10×10-610 图4—7微电流电流源 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 15
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 15 四、微电流电流源(Widlar Current) Ir Rr IC2 V1 V2 UCC R2 图4―7微电流电流源 2 1 2 1 2 2 2 ( ) ln 1 E T E E B E B E I I R U U U R I = − = 当 β1>>1 时 ， IE1≈Ir ,IE2≈IC2 2 2 2 ln C r C T I I I U R = 已知Ir=1mA,要求IC2=10μA时 = − − R 12k 10 1000 ln 10 10 26 10 6 3 2