半导体存储器的性能指标 今存取时间(读写速度) 半导体存储器芯片的速度一般用存取时间和 存储周期两个指标来衡量。 在存储器芯片的手册中可以查得 最小读出周期tcyc(R( Read Cycle Time) 最小写周期 Itcc(W( Write Cycle Time)。 RD的持续时间 tcyc(R)<4T-tda-tD-T tcycW)<4T-tda-tD--T WR的持续时间 xtwang@mail.xidian.edu.cn 历毛子种技大字 X IDA N NIYERSIT Y
半导体存储器的性能指标 v存取时间（读写速度） § 半导体存储器芯片的速度一般用存取时间和 存储周期两个指标来衡量。 § 在存储器芯片的手册中可以查得 最小读出周期tcyc(R)(Read Cycle Time) 最小写周期tcyc(W)(Write Cycle Time)。 xtwang@mail.xidian.edu.cn tcyc(R)＜4T－tda－tD－T tcyc(W)＜4T－tda―tD―T RD的持续时间 WR的持续时间
半导体存储器的性能指标 今非易失性 令可靠性 令功耗 令价格 xtwang@mail.xidian.edu.cn 历毛子种技大字 X IDA N NIYERSIT Y
半导体存储器的性能指标 v非易失性 v可靠性 v功耗 v价格 xtwang@mail.xidian.edu.cn
Contents 存储器分类及主要指标 常用存储器芯片介绍 3 扩展存储器设计 4 存储器地址译码电路设 计 存储器与cPU的连接 历毛子种技大字 X IDA N NIYERSIT Y
Contents 存储器分类及主要指标 1 常用存储器芯片介绍 2 3 扩展存储器设计 存储器地址译码电路设 计 4 存储器与CPU的连接 5
62常用存储器芯片介绍 今SRAM芯片的引脚特点 AB AO-An DO- Dn DB 译码电路一/CS /RD /OE /R→/wE GND 地址线A0~An接cPU的地址总线AB(个数取决于字数N) 数据线D0~Dn接CPU的数据总线DB(个数取决于字长M) 片选线cS由地址译码电路产生 读写线OE、WE由cPU的RD和WR控制 xtwang@mail.xidian.edu.cn 历无子种技大 X IDA N NIYERSIT Y
6.2 常用存储器芯片介绍 vSRAM芯片的引脚特点 xtwang@mail.xidian.edu.cn 地址线 A0~An 接CPU的地址总线 AB （个数取决于字数N） 数据线D0~Dn接CPU的数据总线 DB （个数取决于字长M） 片选线 CS 由地址译码电路产生 读写线 OE、WE 由CPU的 RD 和 WR 控制 — — — — —
62常用存储器芯片介绍 今SRAM芯片Inte6264 D。~D AALA0~A12用作存储 Intel CS 器片内寻址 6264 CS -cs1,cs2用作cPU WE 片选寻址 提供两个片选信号 是为了提供片选方式的多样性 xtwang@mail.xidian.edu.cn 历毛拌技大字 X IDA N NIYERSIT Y
6.2 常用存储器芯片介绍 vSRAM芯片 Intel 6264 xtwang@mail.xidian.edu.cn 地址线 —— A0~ A12 数据线 —— D0~D7 控制线 —— OE、WE、CS1、CS2 — — — 容量 = 8K×8 = 8KB A0~A12 用作 存储 器 片内寻址 CS1，CS2 用作CPU 片选寻址 提供两个片选信号 是为了提供片选方式的多样性