模拟电子技术 两种载流子 两种载流子的运动 电子(自由电子)自由电子(在共价键以外)的运动 空穴 空穴(在共价键以内)的运动 结论: 1.本征半导体中电子空穴成对出现,且数量少; 2.半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电;A 3.本征半导体导电能力弱,并与温度有关
模 拟 电 子 技 术 两种载流子 电子(自由电子) 空穴 两种载流子的运动 自由电子(在共价键以外)的运动 空穴(在共价键以内)的运动 结论： 1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少； 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关
模拟电子技术 1.1.2杂质半导体 、N型半导体和P型半导体 N型 电子为多数载流子 +4 空穴为少数载流子 +4)··(+5·(+4 磷原子自由电子 载流子数≈电子数
模 拟 电 子 技 术 1.1.2 杂质半导体 一、N 型半导体和 P 型半导体 N 型 +5 +4 +4 +4 +4 +4 磷原子 自由电子 电子为多数载流子 空穴为少数载流子 载流子数 电子数
模拟电子技术 112杂质半导体 N型半导体和P型半导体 P型 空穴一多子 +4。。(+4。。+4 电子一少子 ●(+4 +3e·1+4 硼原子空穴 载流子数≈空穴数
模 拟 电 子 技 术 1.1.2 杂质半导体 一、N 型半导体和 P 型半导体 P 型 +3 +4 +4 +4 +4 +4 硼原子 空穴 空穴 — 多子 电子 — 少子 载流子数 空穴数
模拟电子技术 杂质半导体的导电作用 Ip+IN N型半导体I≈I P型半导体I≈IP
模 拟 电 子 技 术 二、杂质半导体的导电作用 I IP IN I = IP + IN N 型半导体 I IN P 型半导体 I IP
模拟电子技术 三、P型、N型半导体的简化图示 Q.负离子 多数载流子少数载流子 GG④正离子 多数载流子少数载流子
模 拟 电 子 技 术 三、P 型、N 型半导体的简化图示 负离子 多数载流子 少数载流子 正离子 多数载流子 少数载流子