TAC TAC( Access time from cLK)是最大CAS 延迟时的最大数输入时钟,PC100规范 要求在CL=3时TAC不大于6ns。某些内存 编号的位数表示的是这个值。目前大多 数 SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8 或10ns
TAC ◼ TAC(Access time from CLK)是最大CAS 延迟时的最大数输入时钟，PC 100规范 要求在CL=3时TAC不大于6ns。某些内存 编号的位数表示的是这个值。目前大多 数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8 或10ns
宗合性能 关于总延迟时间的计算一般用这个公式 总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+ 存取时间(TAC),比如某PC100内存 的存取时间为6ns,我们设定CL模式数为 2(即 CAS Latency=2),则总延迟时间 10ns×2+6ns=26ns,这就是评价内存 性能髙低的重要数值
综合性能 ◼ 关于总延迟时间的计算一般用这个公式: 总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+ 存取时间（TAC），比如某PC 100内存 的存取时间为6ns，我们设定CL模式数为 2（即CAS Latency=2），则总延迟时间 =10ns×2+ 6ns= 26ns，这就是评价内存 性能高低的重要数值
常见内存种类 FPM DRAM EDO DRAM ■ SDRAM ■ DDR SDRAN ■ RDRAM ■ Flash Memory
常见内存种类 ◼ FPM DRAM ◼ EDO DRAM ◼ SDRAM ◼ DDR SDRAM ◼ RDRAM ◼ Flash Memory
FPM(Fast Page Mode) ■FPM(快页模式)是较早的个人计算机普遍使 用的内存,它每隔3个时钟脉冲周期传送 次数据。现在已很少见到使用这种内存的计 算机系统了
FPM(Fast Page Mode) ◼ FPM(快页模式)是较早的个人计算机普遍使 用的内存，它每隔3个时钟脉冲周期传送一 次数据。现在已很少见到使用这种内存的计 算机系统了
EDO(EXtended Data Out) ■EDO(扩展数据输出)内存取消了主板与内存 两个存储周期之间的时间间隔,每隔2个时 钟脉冲周期传输一次数据,大大地缩短了存 取时间,使存取速度提高30%,达到60ns EDO内存主要用于72线的SMM内存条,以 及采用EDO内存芯片的PC显示卡。 wzs
EDO(Extended Data Out) ◼ EDO(扩展数据输出)内存取消了主板与内存 两个存储周期之间的时间间隔，每隔2个时 钟脉冲周期传输一次数据，大大地缩短了存 取时间，使存取速度提高30％，达到60ns。 EDO内存主要用于72线的SIMM内存条，以 及采用EDO内存芯片的PCI显示卡