6.3读写存储景 631静态RAM 1.静态RAM的基本电路 行线X +5V I4 Ts B T6 列线Y 写控制 图6-1静态MOS6管基本存 楮电路一 读控制
6.3 读写存储器 ⚫ 6.3.1 静态RAM ⚫ 1．静态RAM的基本电路 图6-1 静态MOS 6管基本存 储电路 1 T5 2 T2 +5V 3 行线 X 列线 Y 写控制 数据线 读控制 T3 A T4 B T6 T1 T7 T8
2.静态RAM的结构 3.静态RAM芯片实例— ntel2114 4.由2114SRAM构成视定容量的存储器 A 15 模块选择 A14 A 列选通0 A 2000H-23FFH MREO 列选通1 A10 400H-27FFH A 列选通2 2800H-2BFFH 列选通3 2C00H-2FFFH 图6-5地址译码电路
⚫ 2．静态RAM的结构 ⚫ 3．静态RAM芯片实例——Intel 2114 ⚫ 4．由2114 SRAM构成规定容量的存储器 图6-5 地址译码电路 模块选择 A1 0 A11 A15 A14 A13 A12 MREQ 2C00H-2FFFH 2800H-2BFFH 列选通 3 2400H-27FFH 列选通 2 2000H-23FFH 列选通 1 列选通 0
632动态RAM .动态RAM基本存储电路 行选择 刷新 放大器 选 择数据O线 图6-6单管动态RAM 的基本存储电路
6.3.2 动态RAM ⚫ 1．动态RAM基本存储电路 图6-6 单管动态RAM 的基本存储电路 行选择 刷 新 放大器 列 选 择 数据 I/O 线 T C
2.动态RAM的特点及举例 3.动态RAM的刷新
⚫ 2．动态RAM的特点及举例 ⚫ 3．动态RAM的刷新
6.4非易失性半导体存储景 6.41只读存储器(ROM) 字线W 字 地01 字线W1 译10 字线 字线 图6-844MOS 位线B3 B ROM
6.4 非易失性半导体存储器 ⚫ 6.4.1 只读存储器（ROM） 图6-8 44 MOS 位线 B3 B2 B1 B0 ROM 字线 W0 字线 W1 字线 W2 字线 W3 A1 A0 VCC 01 10 11 00 字 地 址 译 码