杂质势→弛豫时间 电离杂质附近的电子势能可表示成()= 4兀EEr *Z=有效电荷,指数因子是电荷屏蔽作用 °由量子力学波恩近似方法,可得散射微分截面 2m Ze d(9)=(4x(k2+2) K=k-k=2kF sin *是散射角 以v速度入射至电离杂质,在单位时间内被散 射的电子数 vo19dQ2 比较散射矩阵元后可得 k,.)=a hmp:/10.107.0.68/~ jochen其他输运现象
http://10.107.0.68/~jgche/ 其他输运现象 6 杂质势弛豫时间 • 电离杂质附近的电子势能可表示成 * Z=有效电荷,指数因子是电荷屏蔽作用 • 由量子力学波恩近似方法,可得散射微分截面 * θ是散射角 • 以v速度入射至电离杂质,在单位时间内被散 射的电子数 • 比较散射矩阵元后可得 r e r Ze U r 0 2 4 ( ) 2 2 2 2 0 * 2 1 4 2 K m Ze 2 ' 2 F sin K k k k v d VN V v k k , ',
如果有N个杂质离子,各个又互相独立则 kky)、N(9)=n1o(9 由杂质散射导致的弛豫时间为 mvFol0-cos 0 )2 T sin 0e 2m Zen( 1-cos 0)sin 6de 2m1(4xE6h2 令x=sin (K2+2) 2m Ze 8xdx 2m, 42)J5(+(2k+/)2x2 剩余电阻与温度无关 hmp:/10.107.0.68/~ jochen其他输运现象
http://10.107.0.68/~jgche/ 其他输运现象 7 v n v VN k k I I , ', n v d I 1 cos 2 sin 1 I F 2 2 2 2 2 0 * 2 F 1 cos sin 42 2 K m Ze d n vI 10 2 2 F3 2 2 2 0* 2 F 1 2 / 8 42 2 k x m Ze x dx n vI 2 sin 令x • 如果有NI个杂质离子,各个又互相独立则 • 由杂质散射导致的弛豫时间为 • 剩余电阻与温度无关
缺陷浓度不同样品电阻实验结果 这是钾的两个样品在6 20K以下的电阻随温度 的变化 50 不同样品有不同的缺陷 浓度,故其电阻向零K 4.0 外延显示了不同的截距 巴 这就是剩余电阻与缺陷 田 按30 的关系,与温度无关 p=P原子振动十P缺 温度低到一定值后,主10 要是剩余电阻的贡献 温度,K hmp:/10.107.0.68/~ jochen其他输运现象
http://10.107.0.68/~jgche/ 其他输运现象 8 缺陷浓度不同样品电阻实验结果 • 这是钾的两个样品在 20K以下的电阻随温度 的变化 * 不同样品有不同的缺陷 浓度,故其电阻向零K 外延显示了不同的截距 * 这就是剩余电阻与缺陷 的关系,与温度无关 * 温度低到一定值后,主 要是剩余电阻的贡献 原子振动 缺陷
2、热导率(金属电子贡献) 金属中电子对导热的贡献 *实际上是电子与声子的共同贡献 *金属中电子浓度高得多,因此,电子对导热的贡献 般比声子高两个量级,故金属导热一般指电子 ·自由电子气模型电子对导热的贡献? *由理想气体、费米速度和比热与温度关系即可得 导热过程中声子有两种作用 1.维持温度梯度; 2.建立热电场使电流为零 用 Boltzman方程来讨论电子导热问题 hmp:/10.107.0.68/~ jochen其他输运现象
http://10.107.0.68/~jgche/ 其他输运现象 9 2、热导率(金属电子贡献) • 金属中电子对导热的贡献 * 实际上是电子与声子的共同贡献 * 金属中电子浓度高得多,因此,电子对导热的贡献 一般比声子高两个量级,故金属导热一般指电子 • 自由电子气模型电子对导热的贡献? * 由理想气体、费米速度和比热与温度关系即可得 • 导热过程中声子有两种作用 1. 维持温度梯度; 2. 建立热电场使电流为零 • 用Boltzman方程来讨论电子导热问题
ry+k ak at 碰撞 有温度梯度时,分布函数的导数通过r与温度T 发生联系,对分布函数求导 06:aT0 +r fo aEE/ oo_E-E do do ar ar at ae Or aT F T aEaE F aE 即可得 E-E OT aE r aE T oI or 电子导热将伴随着带电粒子的移动,将建立起 内电场,所以仍需保留电场影响,即 E-EF aT, aEF ea afo f-f aE T ar a 九E hmp:/10.107.0.68/~ jochen其他输运现象
http://10.107.0.68/~jgche/ 其他输运现象 10 • 有温度梯度时,分布函数的导数通过r与温度T 发生联系,对分布函数求导 • 即可得 • 电子导热将伴随着带电粒子的移动,将建立起 内电场,所以仍需保留电场影响,即 碰撞 t f f f k k r r r r r r r 0 0 F T EF T E E E f f 0 F F 0 0 f f E T E e f T E E E f v r r v E E f E f 0 F 0 E f T E E T f 0 F 0 r r r r r r F F 0 0 0 E E f T f T f