第章半导体器件 Ⅰ/mA 二极管特性 U 150-100-50 D 0040812 R 10死区 木-20电压 E VI/μA 图18二极管的伏安特性 (a)硅二极管2CP6
第1章 半导体器件 0 0.4 0.8 1.2 U / V 4 8 I / mA A －1 0 －2 0 B C 二极管特性 死区 电压 I / A (a) －150 －100 －5 0 UB E D R U I ＋ － R U I 图1.8 （a）硅二极管2CP6;
第章半导体器件 Ⅰ/mA B 40-30-20-10/0040.812U 死区 0.2 电压 Ⅰ/uA 图18二极管的伏安特性 (b)锗二极管2AP15
第1章 半导体器件 0 0.4 0.8 1.2 U / V 4 8 I / mA A －0.2 B C 死区 电压 I / A (b) －2 0 －1 0 UB －4 0 －3 0 图1.8 （b）锗二极管2AP15
第章半导体器件 )正向特性 0A段:称为“死区” AB段:称为正向导通区 2)反向特性 0D段:称为反向截止区。这时二极管呈现很高的 电阻,在电路中相当于一个断开的开关,呈截止状态
第1章 半导体器件 1）正向特性 0A段：称为“死区”。 ＡＢ段：称为正向导通区。 2）反向特性 0Ｄ段：称为反向截止区。这时二极管呈现很高的 电阻，在电路中相当于一个断开的开关，呈截止状态
第章半导体器件 DE段:称为反向击穿区。当反向电压增加到一 定值时,反向电流急剧加大,这种现象称为反向击穿 发生击穿时所加的电压称为反向击穿电压,记做UB 这时电压的微小变化会引起电流很大的变化,表现出 很好的恒压特性。同样,若对反向击穿后的电流不加 以限制,PN结也会因过热而烧坏,这种情况称为热 击穿
第1章 半导体器件 ＤＥ段：称为反向击穿区。当反向电压增加到一 定值时，反向电流急剧加大，这种现象称为反向击穿。 发生击穿时所加的电压称为反向击穿电压，记做ＵB。 这时电压的微小变化会引起电流很大的变化，表现出 很好的恒压特性。同样，若对反向击穿后的电流不加 以限制，ＰＮ结也会因过热而烧坏，这种情况称为热 击穿
第章半导体器件 2.温度特性 温度对二极管伏安特性的影响如图1.9所示。 1)当温度升高时,二极管的正向特性曲线向左移动 这是因为温度升高时,扩散运动加强,产生同一正向电 流所需的压降减小的缘故。 (2)当温度升高时,二极管的反向特性曲线向下移动 这是因为温度升高,本征激发加强,半导体中少子数目 增多,在同一反向电压下,漂移电流增大的缘故
第1章 半导体器件 2. 温度特性 温度对二极管伏安特性的影响如图１.９所示。 (1)当温度升高时，二极管的正向特性曲线向左移动。 这是因为温度升高时，扩散运动加强，产生同一正向电 流所需的压降减小的缘故。 (2)当温度升高时，二极管的反向特性曲线向下移动。 这是因为温度升高，本征激发加强，半导体中少子数目 增多，在同一反向电压下，漂移电流增大的缘故