第章半导体器件 在P型半导体中,原来的晶体仍会产生电子一空穴对, 由于杂质的掺入,使得空穴数目远大于自由电子数目, 成为多数载流子(简称多子),而自由电子则为少数载流 子(简称少子)。因而P型半导体以空穴导电为主
第1章 半导体器件 在P型半导体中，原来的晶体仍会产生电子—空穴对， 由于杂质的掺入，使得空穴数目远大于自由电子数目， 成为多数载流子(简称多子)，而自由电子则为少数载流 子(简称少子)。因而P
第章半导体器件 2.N型半导体 N型半导体是在本征半导体硅中掺入微量的5价元 素(如磷、砷、镓等)而形成的,杂质原子有5个价电 子与周围硅原子结合成共价键时,多出1个价电子,这 个多余的价电子易成为自由电子,如图14所示。 综上所述,在掺入杂质后,载流子的数目都有相 当程度的增加。因而对半导体掺杂是改变半导体导电 性能的有效方法
第1章 半导体器件 2. N型半导体 N型半导体是在本征半导体硅中掺入微量的5价元 素（如磷、砷、镓等）而形成的，杂质原子有5个价电 子与周围硅原子结合成共价键时，多出1个价电子，这 个多余的价电子易成为自由电子，如图1.4所示。 综上所述，在掺入杂质后，载流子的数目都有相 当程度的增加。因而对半导体掺杂是改变半导体导电 性能的有效方法
第章半导体器件 +4 +4 +4 自由电子 +4 +5 +4 施主原子 +4 +4 +4 图1.4N型半导体的共价键结构
第1章 半导体器件 ＋4 自由电子 ＋4 ＋4 ＋4 ＋5 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 施主原子 图1.4 N型半导体的共价键结构
第章半导体器件 113PN结的形成及特性 1.PN结的形成 在同一块半导体基片的两边分别形成N型和P型半 导体,它们的交界面附近会形成一个很薄的空间电荷 区,称其为PN结。 PN结的形成过程如图15所示
第1章 半导体器件 1.1.3 PN结的形成及特性 1. PN结的形成 在同一块半导体基片的两边分别形成N型和P型半 导体，它们的交界面附近会形成一个很薄的空间电荷 区，称其为PN结。 PN结的形成过程如图1.5所示
第章半导体器件 耗尽层空 P区 N区 P卜间电荷区 eQe6 oo lo soolo o@‖ ooo Stoop looioolooiaol 扩散运动方向 自建场 (b) 图1.5PN结的形成 (a)多子扩散示意图;(b)ⅨN结的形成
第1章 半导体器件 P区 (a) N区 (b) P N 耗尽层空 间电荷区 扩散运动方向 自建场 图1.5PN结的形成 （a）多子扩散示意图；（b）PN结的形成