芯片的工作方式由CE/PGM、OE和Vp的不同组合所决定,如表10-1 所示 引脚 CE OE V()/数据线D~D状 工作方式 态 读出 0 +5 读出的数据 未选中 +5 高阻 待机 +5 高阻 编程(写入) +25 写入的数据 禁止编程 111 +25 高阻 校验读出 0 +25 读出校验数据
芯片的工作方式由 、 和 的不同组合所决定，如表10-1 所示 CE PGM / OE VPP OE 引脚 工作方式 Vpp（V） 数据线D7 ～D0状 态 读出 0 0 +5 读出的数据 未选中 × 1 +5 高阻 待机 1 × +5 高阻 编程（写入） 1 +25 写入的数据 禁止编程 0 1 +25 高阻 校验读出 0 1 +25 读出校验数据 CE
4.电可改写型ROM(E2PROM) EPROM只能整体擦除,不能单一个存储单元独立地擦 除,而且擦除操作较麻烦。为克服这些缺点,又研制成了可 以用电信号擦除的可编程ROM,这就是通常所说的 E2PROM。 在E2PROM中,Inte公司的芯片2816A、2817A和2864A 等较常用。图10-3是常用E2PROM的芯片引脚图
4．电可改写型ROM（E2PROM） EPROM只能整体擦除，不能单一个存储单元独立地擦 除，而且擦除操作较麻烦。为克服这些缺点，又研制成了可 以用电信号擦除的可编程ROM，这就是通常所说的 E2PROM。 在E2PROM中，Intel公司的芯片2816A、2817A和2864A 等较常用。图10-3是常用E2PROM的芯片引脚图
WE C 2816A A6 Ao A 2864A WE NAAA OE A2 Ao 16 1/O1 E0E00000 000 10 GND GND 图10-3常用 E2PROM引脚图
图10-3 常用E2PROM引脚图
5.快闪存储器( Flash Memory) 快闪存储器是一种快速在线电修改、且掉电非易失性 存储器。 快闪存储器以供电电压的不同,大体可以分为两大类: 类是从用紫外线擦除的 EPROM发展而来的需要用高压 (12V)编程的器件,通常需要双电源(芯片电源、擦除/编 程电源)供电,型号序列为28系列;另一类是从5V编程、 以E2PROM为基础的器件,它只需要单一电源供电,其型号 序列通常为29C系列(有的序列号也不完全统一)
5．快闪存储器（Flash Memory） 快闪存储器是一种快速在线电修改、且掉电非易失性 存储器。 快闪存储器以供电电压的不同，大体可以分为两大类： 一类是从用紫外线擦除的EPROM发展而来的需要用高压 （12V）编程的器件，通常需要双电源（芯片电源、擦除/编 程电源）供电，型号序列为28F系列；另一类是从5V编程、 以E2PROM为基础的器件，它只需要单一电源供电，其型号 序列通常为29C系列（有的序列号也不完全统一）
6.ROM在组合逻辑设计中的应用 用ROM实现组合逻辑的基本原理可从存储器和与或逻辑 网络两个角度来理解 用ROM实现组合逻辑函数时,具体的做法就是将逻辑函 数的输入变量作为ROM的地址输入,将每组输出对应的函数 值作为数据写入相应的存储单元中即可,这样按地址读出的数 据便是相应的函数值
6．ROM在组合逻辑设计中的应用 用ROM实现组合逻辑的基本原理可从存储器和与或逻辑 网络两个角度来理解。 用ROM实现组合逻辑函数时，具体的做法就是将逻辑函 数的输入变量作为ROM的地址输入，将每组输出对应的函数 值作为数据写入相应的存储单元中即可，这样按地址读出的数 据便是相应的函数值