Ioe-en,l侧.tco/ Re UcEQ≈Vcc-IcQ(Re+Re) 2.动态分析 (a)直流通路 “电压放大倍数 R Ui rbe+(1+B)Re 在Re两端并一电解电容Ce后 微变等效电路 uA+元 rbe 输入电阻 Ri Rbil/Rb2//rbe+(1+p)Rel 在Re两增并一电解电容Ce后 Ri Rb1l/Rb2//r be 输出电阻 RO≈Re 八共集电极基本放大电略 1.静态分析 + IC0≈HBO UcEQ Vcc-IcoRe ()共集电极基本放大电路 2.动态分析 *电压放大倍数 1+)R *输入电阻 (b)H参数等效电路 R=rbe+(1+(ReR川 ·输出电阻
2．动态分析 *电压放大倍数 在 Re 两端并一电解电容 Ce 后 输入电阻 在 Re 两端并一电解电容 Ce 后 * 输出电阻 八. 共集电极基本放大电路 1．静态分析 2．动态分析 * 电压放大倍数 * 输入电阻 * 输出电阻
IT 1+B 3.电路特点 ·电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。 ·输入电阻高，输出电阻低。 22场效应管及其基本放大电略 结型场效应管(JFET) 1结构示意图和电路符号 梦电沟道 (a)NFET结构及电路符号(b)P-JFET结构及电路符号 2.输出特性曲线 (可变电阻区、放大区、藏止区、击穿区) 相区 输出特性 转移特性曲线 一裁止电压 tomal(rs) #cs-OV 恤和区-2Y力 -3V =6N+6 】截止区 海小 s/y 输出特性 (b)转移特性 二.给缘播型场效应管(MOSFET) 分为增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两种， 结构示意国和电路符号
3. 电路特点 * 电压放大倍数为正，且略小于 1，称为射极跟随器，简称射随器。 * 输入电阻高，输出电阻低。 §2-2 场效应管及其基本放大电路 一. 结型场效应管（ JFET ） 1.结构示意图和电路符号 2. 输出特性曲线 （可变电阻区、放大区、截止区、击穿区） 转移特性曲线 UP - 截止电压 二. 绝缘栅型场效应管（MOSFET） 分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。 结构示意图和电路符号
P-EMO (a)EMO5结构及电路符号 (b)DMOS结构及电路符号 2.特性曲线 N-EMOS的输出特性曲线 Ues-6V is/mA 4V 3V (a)增强型输出特性()增强型转移特性 NEMOS P的特移特性0no2cs> 式中 所对应的值。 Y-DMOS的输出特性曲线 Ucs-0V (c)耗尽型输出特性()耗尽型转移特性 注意：M可正、可零、可负。转移特性曲线上加处的值是夹断电压，此曲线表示式与结型场效 应管一致， 三场效应管的主要参数 1漏极饱和电流DSS 2.夹断电压0， 3开启电压 4.直流输入电阻RS 5.低频跨导g如表明场效应管是电压控制暑件) 8m一Csls=带数 四.场效应管的小信号等效模型 a。+告a-ea Up E-M0S的跨导gm- UT UT 场效应管微变等效电路
2. 特性曲线 *N-EMOS 的输出特性曲线 * N-EMOS 的转移特性曲线 式中，IDO是 UGS=2UT时所对应的 iD 值。 * N-DMOS 的输出特性曲线 注意：uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上 iD=0 处的值是夹断电压 UP，此曲线表示式与结型场效 应管一致。 三. 场效应管的主要参数 1.漏极饱和电流 IDSS 2.夹断电压 Up 3.开启电压 UT 4.直流输入电阻 RGS 5.低频跨导 gm (表明场效应管是电压控制器件) 四. 场效应管的小信号等效模型 E-MOS 的跨导 gm -