2.VO口工作模式设置P0.0~P0.7POM1POMO一个端口需要两位来设置工作模式，一组8个端口需要2SFR来决定工作模式。共有六组I/O口，因此需要多少个SFR来确定工作模式呢？分别是POM1，POMO，P1M1,P1M0，P2M1，P2MO，P3M1，P3MO，P4M1，P4M0,P5M1, P5M0
2. I/O口工作模式设置 ◼ 一个端口需要两位来设置工作模式，一组8个端口需要 2SFR来决定工作模式。共有六组I/O口，因此需要多少个 SFR来确定工作模式呢？分别是P0M1，P0M0，P1M1， P1M0，P2M1，P2M0，P3M1，P3M0，P4M1，P4M0， P5M1，P5M0
2.1/O口工作模式PnM1.m和PnMO.m用来确定Pn.m的工作模式PnM1.m和PnMO.m的取值和对应模式如下：00：准双向模式，上电复位后默认为此模式灌电流可达20mA，拉电流150~230uA推挽输出，强上拉输出。常用于PWM01:7灌电流20mA，拉电流20mA10：仅为输入11：开漏输出，用于5V器件与3V器件电平切换值得注意的是，虽然每个I/O口的驱动能力为20mA，但是整个片子的驱动能力并不是引脚数乘以20mA，40个引脚整个芯片不超过120mA
2. I/O口工作模式 ◼ PnM1.m和PnM0.m用来确定Pn.m的工作模式。 ◼ PnM1.m和PnM0.m的取值和对应模式如下： ◼ 00：准双向模式，上电复位后默认为此模式。 ◼ 灌电流可达20mA，拉电流150~230μA。 ◼ 01：推挽输出，强上拉输出。常用于PWM ◼ 灌电流20mA，拉电流20mA ◼ 10：仅为输入 ◼ 11：开漏输出，用于5V器件与3V器件电平切换。 ◼ 值得注意的是，虽然每个I/O口的驱动能力为20mA，但是 整个片子的驱动能力并不是引脚数乘以20mA，40个引脚 整个芯片不超过120mA。 ◼
数字电路中，0.1均由电平表示。CMOS器件和TTL器件高低电平值。4.5-5.5VVCC4.5-5.5V5VCMOS5VTTIVCCDZVoHminVCC-0.2CnzCnZCnViHmin0.7XVCCDZDZVoHmin2.4VV0.5XVCCViHmincn2VViLmaxVT1.5VO.3XVCCDZDZDZDZ0.8VViLmaxVolmax0.5V0.4VOLmaxblog.csdn惠号气电子制作站
数字电路中，0,1均由电平表示。CMOS器件 和TTL器件高低电平阈值
灌电流和拉电流当引脚上为高电平时带负载的方式一般为灌通过负载接地。此时电流方向为从引脚泄出，叫做拉电流VCCMCU0当引脚上为低电平时带负载的方式一般为通过负载接高电平，电流方向为引脚灌入，叫灌电流。不同器件需要的工作电流时不同的，拉电拉流和灌电流的大小代表了带负载的能力
灌电流和拉电流 当引脚上为高电平时， 带负载的方式一般为 通过负载接地。此时 电流方向为从引脚泄 出，叫做拉电流。 当引脚上为低电平时， 带负载的方式一般为 通过负载接高电平，电 流方向为引脚灌入，叫 灌电流。 不同器件需要的工作 电流时不同的，拉电 流和灌电流的大小代 表了带负载的能力
拓展知识：拉电流与灌电流CMOS工艺的单片机中，场效应管是组成I/O口的重要器件，场效应管分为P沟道和N沟道两种。P沟道场效应管G极接高电平导通，N沟道场效应管G极接低电平导通，符号如下。BDDPDNCeSDDCOSP沟道S1N沟道结型场效应管结构和符号
*拓展知识：拉电流与灌电流 ◼ CMOS工艺的单片机中，场效应管是组成I/O口的重要器件 ，场效应管分为P沟道和N沟道两种。P沟道场效应管G极 接高电平导通，N沟道场效应管G极接低电平导通，符号 如下