PROM 行线 CC 熔丝 列线 存0,则烧断熔丝;存1,熔丝不断。 只能实现一次编程
◼ PROM 行线 列 线 VCC 熔 丝 存0，则烧断熔丝；存1，熔丝不断。 只能实现一次编程
EPROM G SiO2-+ P基片 改写方式 。紫外线照射 电气的方法( EEPROM) FLASH memory
◼ EPROM ◼ 改写方式 ◼ 紫外线照射 ◼ 电气的方法（EEPROM） ◼ FLASH memory N+ P 基片 N+ S G D SiO2
静态RAM(SRAM) 位线B A A 位线B V CC 地址选择
◼ 静态RAM（SRAM） VCC T1 T3 T2 T4 T5 A T6 位线 ’ A B’ 位线B 地址选择
动态RAM 数据线 字线
◼ 动态RAM 字线 数据线 T CS
利用存储器芯片构造存储系统 ■利用与非门实现译码 例:假设某微处理器有20根地址线 ······ 8根数据线D,D1,D2, 20根地址线:CPU可以访问1M个存储单元 8根数据线:CPU和存储器之间每次传送的数 据为8位 存储器使用2K*8 EPROM:11根地址线,8 根数据线
利用存储器芯片构造存储系统 ◼ 利用与非门实现译码 例：假设某微处理器有20根地址线 A0，A1，A2，…………，A19 8根数据线D0，D1，D2，…………，D7 20根地址线：CPU可以访问1M个存储单元 8根数据线：CPU和存储器之间每次传送的数 据为8位 存储器使用 2K * 8 EPROM：11根地址线，8 根数据线