2.PN结的单向导电性 (1)加正向电压（正偏）一电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动>漂移运动 →多子扩散形成正向电流I? P型半导体空间电荷区N型半导体 O°O°O°O O°a金 向电流 内电场E Ew R
2. PN结的单向导电性 (1) 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场→耗尽层变窄 →扩散运动＞漂移运动 →多子扩散形成正向电流I F － － － － － － － + + － + + + + + － + P型半导体 － － + + N型半导体 + － + EW R 空间电荷区 内电场E 正向电流
2)加反向电压— 电源正极接N区，负极接P区 外电场的方向与内电场方向相同。 外电场加强内电场→耗尽层变宽→漂移运动>扩散运动 →少子漂移形成反向电流IR 空间电荷区 在一定的温度下，由本 征激发产生的少子浓度是 一定的，故I基本上与外 ⊕ 加反压的大小无关，所以 内电场E 称为反向饱和电流。但IR 与温度有关
(2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区 外电场的方向与内电场方向相同。 外电场加强内电场 →耗尽层变宽→漂移运动＞扩散运动 →少子漂移形成反向电流I R + － － － + － － 内电场 + + － + － + E + － EW － － － + 空 间 电 荷 区 + － R + + + I R P N 在一定的温度下，由本 征激发产生的少子浓度是 一定的，故IR基本上与外 加反压的大小无关，所以 称为反向饱和电流。但IR 与温度有关
PN结加正向电压时，具有较大的正向 扩散电流，呈现低电阻，PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向 漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导 电性
PN结加正向电压时，具有较大的正向 扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向 漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导 电性
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图1.2.4 二极管的几种外形 返回
二极管的几种常见结构 阳极引线 金属丝 N型锗片 铝合金小球 PN结 N型硅 金锑合金 阳极引线口 ☐阴极引线 、底座 外壳 阴极引线 (a) (b) 阳极引线、 SiO,保护层 P型硅 阳极 阴极 N型硅 阴极引线 (c) 返回
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