正常晶粒长大(NGG)Vs异常晶粒长大(AGG) Normal GG Log Grain Size Abnormal GG AGG: Normal GG NGG: Sintering Time,Temperature- dGA dr G G -Go=kNt GA-GAO kA( MgO(<50ppm)doped sapphire ◆5mm6x 1880C,~1cm/h Curtis Scott et al,J.Am.Ceram.Soc.,85(2002)1275 7
7 正常晶粒长大(NGG) vs 异常晶粒长大(AGG) NGG: AGG: MgO(<50ppm) doped sapphire 1880oC, ~1 cm/h Curtis Scott et al, J. Am. Ceram. Soc., 85(2002) 1275
临界变形量和晶粒异常粗大 d 4×10um2 400 mm馆 温度心 Fe-Si alloy 200 0 800o04 40 500- 20 30 50 75 形变量/%小时泉成，出大 临界变形量和晶粒异常粗大 二次再结晶区域 660 600 LY12 500 0 10- 400 温度 03610204060 300 80 变形度，% ⊙
8 临界变形量和晶粒异常粗大 Fe-Si alloy 临界变形量和晶粒异常粗大 LY12
ScienceDirect Scripta MATERIALIA ELSEVIER www..com/ocate/scriptamat Dynamic abnormal grain growth:A new method to produce single crystals J.Ciulik*and E.M.Taleff Department of Mechanieal Engineering.The Uninersiry of Texas at Austn.Austin.TX 78712-0292.USA A Mae Pd 6mm 100 20n 6=Ix10+s poly 1540℃ rains 20 -60 seconds Mo tensile coupons tested to several different strains 0.1 0.2 0.3 0.4 True Strain *Scripta Materialia 61(2009)895-898 9
9 *Scripta Materialia 61 (2009) 895-898
Question ·为什么要加热？ 液/气-固相变中的形核长大 驱动力 一气相生长系统 一溶液生长系统 非品 一熔体生长系统 介稳定固相 形核 ● 一均匀形核 稳定相 气相 一非均匀形核 祖度 图1-6各相自由能随温度变化示意图 : T,T阻，T一各相的熔化点；T。一沸点； T,一非品态转变润度 10
10 Question • 为什么要加热？ 液/气-固相变中的形核长大 • 驱动力 – 气相生长系统 – 溶液生长系统 – 熔体生长系统 • 形核 – 均匀形核 – 非均匀形核
驱动力 △μ=g-μe ·T=const.. P -Gas-liquid or gas-solid △u=kTln -Solution-solid △=KTIn Co C ·P=const.. -Melt-solid △u= AH AT *吴建生、张寿柏《材料制备新技术》上海交通大学出版社，1996，p.13 均匀形核(homogeneous nucl) nucleus of a-phase (interfucial surfuce tension) 2R unstuble B-solution ut Xo G AG=0 volime (-R) lG contribution R (nucleus size） 11
11 驱动力 • T=const. – Gas-liquid or gas-solid – Solution-solid • P=const. – Melt-solid *吴建生、张寿柏《材料制备新技术》上海交通大学出版社，1996，p.13 均匀形核 (homogeneous nucl)