模拟电子技术 113PN结 PN结( PN Junction)的形成 1.载流子的浓度差引起多子的扩散 0.0.060000 内建电场 2.复合使交界面形成空间电荷区(耗尽层) 空间电荷区特点: 无载流子,阻止扩散进行,利于少子的漂移
模 拟 电 子 技 术 1.1.3 PN 结 一、PN 结(PN Junction)的形成 1. 载流子的浓度差引起多子的扩散 2. 复合使交界面形成空间电荷区(耗尽层) 空间电荷区特点: 无载流子， 阻止扩散进行，利于少子的漂移。 内建电场
模拟电子技术 3.扩散和漂移达到动态平衡 扩散电流等于漂移电流, 总电流Ⅰ=0。 PN结的单向导电性 1.外加正向电压(正向偏置)— forward bias
模 拟 电 子 技 术 3. 扩散和漂移达到动态平衡 扩散电流 等于漂移电流， 总电流 I = 0。 二、PN 结的单向导电性 1. 外加正向电压(正向偏置) — forward bias
模拟电子技术 P区 B N区律散运动加强形城正流lp 和部分离子使空间电荷区变窄。 F 生多子-D 少子≈1多子 限流电阻 2.外加反向电压(反向偏置)— reverse bias R P移运动加强形藏反陶地旅不 内电场 外电场 R=D办子≈有间电荷区变宽。 PN结的单向导电性:正偏导通,呈小电阻,电流较大;士 反偏截止,电阻很大,电流近似为零
模 拟 电 子 技 术 内电场 外电场 外电场使多子向PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。 P 区 N 区 IF 限流电阻 扩散运动加强形成正向电流IF 。 IF = I多子 − I少子 I多子 2. 外加反向电压(反向偏置) — reverse bias P 区 N 区 内电场 外电场 外电场使少子背离PN 结移动， 空间电荷区变宽。 IR PN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。 漂移运动加强形成反向电流IR IR = I少子 0
模拟电子技术 三、PN结的伏安特性 S 电子电量玻尔兹曼 常数 反向 温度的 T 和电 电压当量 当T=300(27°C): I/mA U 26 mV 反 向特性 u/V 加正向电压时ie/篇 加反向电压时s
模 拟 电 子 技 术 三、PN 结的伏安特性 (e 1) / = S − UT u I I 反向饱 和电流 温度的 电压当量 q kT UT = 电子电量 玻尔兹曼 常数 当 T = 300(27C)： UT = 26 mV O u /V I/mA 反 正向特性 向 击 穿 加正向电压时 加反向电压时 i≈–IS
模拟电子技术 1.2半导体二极管 1.2.1半导体二极管的结构和类型 1.22二极管的伏安特性 123二极管的主要参数
模 拟 电 子 技 术 1.2 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的结构和类型 1.2.2 二极管的伏安特性 1.2.3 二极管的主要参数