三、ROM芯片及扩展方法 1、 EPROM存储器及扩展 常用的 EPROM芯片有2732、2764、27128、27256 27512等。 2751227256271282764 2764271282725627512 A15 VI Vpp vp 28 VccVcc Vo CC A12A12A12A12 27 PGMPGM A14 A14 A7 A7 26NCA13A13 A6 A6 A6 A6 A8 A8 A4 A4 527642449 A9 A9 A4 A4A4 A A3A3A3A3 6271282411A1A1 7 22 OE OE/Vpp 82725621410410410A10 Al 92751220 AO A0A0 AO 10 19Q7 Q7 Q7 Q0 Q Q0 11 18 Q6 Q1 12 17Q5 Q5 Q5 2 Q2 16 Q4 GND GND GNDGND 14
6 三、ROM芯片及扩展方法 1、EPROM存储器及扩展 常用的EPROM芯片有2732、2764、27128、27256、 27512等 。 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 2764 27128 27256 27512 2764 Vcc PGM NC A8 A9 A11 OE A10 CE Q7 Q6 Q5 Q4 Q3 27128 Vcc PGM A13 A8 A9 A11 OE A10 CE Q7 Q6 Q5 Q4 Q3 27256 Vcc A14 A13 A8 A9 A11 OE A10 CE Q7 Q6 Q5 Q4 Q3 27512 Vcc A14 A13 A8 A9 A11 OE/Vpp A10 CE Q7 Q6 Q5 Q4 Q3 2764 Vpp A12 A7 A6 A4 A4 A3 A2 A1 A0 Q0 Q1 Q2 GND 27256 Vpp A12 A7 A6 A4 A4 A3 A2 A1 A0 Q0 Q1 Q2 GND 27128 Vpp A12 A7 A6 A4 A4 A3 A2 A1 A0 Q0 Q1 Q2 GND 27512 A15 A12 A7 A6 A4 A4 A3 A2 A1 A0 Q0 Q1 Q2 GND
EPROM存储器扩展电路: P2.0-P2.4 A8-A12 ALE G OE D7 O Q7 A7 PO Kr 2764A 80C31 EA DO Q0 D0~D7 CE PSEN OE
7 EPROM存储器扩展电路： OE 2764A A7 : : A0 A8-A12 CE D0～D7 74LS373 ALE G OE 80C31 D7 : : D0 Q7 : : Q0 PSEN EA P2.0-P2.4 P0
2、 EEPROM存储器及扩展 常用的 EEPROM芯片有2864、2817等 NC RDY/BUSY 28 A122 A12 A7 NC A7 NC 25A8 5 24A9 A4 23A11 6 23A1l 72864A220E 72817A22 8 21A10 1A10 Al 9 AO 19|1/07 10 191/07 I/ 0011 l8|1/06 I/00 81/06 I/0112 17I/05 12 17I/05 I/0213 16I/04 I/02 16|I/04 GND 151/03 GND 151/03
8 2、EEPROM存储器及扩展 常用的EEPROM芯片有2864、2817等 。 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 2864A Vcc WE NC A8 A9 A11 OE A10 CE I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 NC A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 2817A Vcc WE NC A8 A9 A11 OE A10 CE I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 RDY/BUSY A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 GND
7.1.2数据存储器的扩展 、RAM扩展原理 扩展RAM和扩展ROM类似,由P2口提供高8位地址,P0口分时 地作为低8位地址线和8位双向数据总线。外部RAM读时序为: 第1个机器周期—-第2个机器周期 S1 i S2 i S3 i S4 i S5 i S6:S1 i S2 i S3 i S4 : i S6i S1 i S2 ALE PSEN X+输出X输出m 输出PCH PO口H 口〈a)(指令〈m) 〈数据入)〈P)(令》
9 7.1.2 数据存储器的扩展 一、RAM扩展原理 扩展RAM和扩展ROM类似，由P2口提供高8位地址，P0口分时 地作为低8位地址线和8位双向数据总线。外部RAM读时序为： S1 S2 S3 S4 S5 S6 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S1 S2 输出PCH 输出DPH PCL DPL 第1个机器周期 第2个机器周期 ALE PSEN P2口 P0口 指令 数据入 输出PCH PCL 指令 RD
外部RAM写时序为: —第1个机器周期 第2个机器周期 S1S2:S3}S4}S5:S6;S1:S2}S3:S4;S i S6 SI S2 ALE L P2口 输出PCH 输出DP 输出PHX P0口 D<(指令》(m (数据出)(P)(指令》 10
10 外部RAM写时序为： S1 S2 S3 S4 S5 S6 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S1 S2 输出PCH 输出DPH PCL DPL 第1个机器周期 第2个机器周期 ALE PSEN P2口 P0口 指令 数据出 输出PCH PCL 指令 WR