BBU 途边发光二极管(ELED) 的结构
☞边发光二极管（ELED）的结构
光谱特性 ◇自发辐射发光，没有谐振腔，发光谱 线较宽 ◇半最大值处的全宽度 (FWHM) 1.0 轻掺杂 0.8 4.5C 0.6 重掺杂 白 御 24°C 0.4 75C 要 0.2 49C 0 1.201.251.301.35 0.64 0.69 0.74 波长μm 1.201.251.301.35 h2 波长um
光谱特性 自发辐射发光，没有谐振腔，发光谱 线较宽 半最大值处的全宽度（FWHM） =1.8kT( 2 /ch)nm 线宽随有源区掺杂浓度的增加而增加 随着温度的升高线宽加宽
75 am 1251m Surface-emitting LED Edge-emitting LED 1.18 1.22 126 1.30 1.34 1.38 1.42 1.46 Waveleng地(sm)
1.4 InGaAsP/InP 2(20C) 0C P-I特性 1.2 10 =1.23um 20C 1.0 30C 40°C 0.8 50°C ◇输出的光功率随注入电沉 0.6 60C 70°C ◇当注入电流较小时，线在 15 当注入电流比较大时，日 面发光 热，发光效率降低，出现 10 ◇温度对P—I特性的影响， ,同一电流下的发射功淫 边发光 0 0 200 电流(mA
P-I特性 输出的光功率随注入电流的变化关系 当注入电流较小时，线性度非常好； 当注入电流比较大时，由于PN结的发 热，发光效率降低，出现了饱和现象。 温度对P—I特性的影响，当温度升高时 ，同一电流下的发射功率要降低
发光二极管的模拟调制原理图 1 光信号功率 电信号 P,(光功率) 调制后光信号 调制电信号 BBL
发光二极管的模拟调制原理图 ☞