7.13稳压管 稳压管是一种用特殊工艺制造的半导体二极管,稳压管 的稳定电压就是反向击穿电压。稳压管的稳压作用在于: 电流增量很大,只引起很小的电压变化。 稳压管的主要参数: (1)稳定电压Uz。反向击穿后稳定工作的电压 (2)稳定电流lz。工作电压等于稳定电压时的电流 (3)动态电阻rz。稳定工作范围内,管子两端电压的变 化量与相应电流的变化量之比。即:rz=△UZ△I (4)额定功率Pz和最大稳定电流lM。额定功率P是在 稳压管允许结温下的最大功率损耗。最大稳定电流lz是 指稳压管允许通过的最大电流。它们之间的关系是: P=U ZZM 阳极 阴极
7.1.3 稳压管 稳压管是一种用特殊工艺制造的半导体二极管，稳压管 的稳定电压就是反向击穿电压。稳压管的稳压作用在于： 电流增量很大，只引起很小的电压变化。 阳极 阴极 稳压管的主要参数： （1）稳定电压UZ。反向击穿后稳定工作的电压。 （2）稳定电流IZ。工作电压等于稳定电压时的电流。 （3）动态电阻rZ。稳定工作范围内，管子两端电压的变 化量与相应电流的变化量之比。即：rZ=ΔUZ /ΔIZ （4）额定功率PZ和最大稳定电流IZM。额定功率PZ是在 稳压管允许结温下的最大功率损耗。最大稳定电流IZM是 指稳压管允许通过的最大电流。它们之间的关系是： PZ=UZ IZM
7.2半导体三极管 7.21三极管的结构及类型 半导体三极管是由两个背靠背的PN结构成 的。在工作过程中,两种载流子(电子和空 穴)都参与导电,故又称为双极型晶体管, 简称晶体管或三极管。 两个N结,把半导体分成三个区域 这三个区域的排列,可以是N-PN,也可以 是P-N-P。因此,三极管有两种类型:NPN 型和PNP型
7.2 半导体三极管 7.2.1 三极管的结构及类型 半导体三极管是由两个背靠背的PN结构成 的。在工作过程中，两种载流子（电子和空 穴）都参与导电，故又称为双极型晶体管， 简称晶体管或三极管。 两个PN结，把半导体分成三个区域。 这三个区域的排列，可以是N-P-N，也可以 是P-N-P。因此，三极管有两种类型：NPN 型和PNP型
C 集电区 集电结N NPN型 B 基区B 发射结N 正箭 发射区 E 向头 E 电方 压向 时表 C 的示 集电区 C 电发 集电结P 流射 PNP型B 方结 N十基区B 向加 发射结仁P孓 发射区 E E
集电结 B 发射结 NPN 集电区 基区 发射区 C C E E B 集电结 B 发射结 PNP C C E E B 集电区 基区 发射区 NPN 型 PNP 型 箭头方向表示发射结加 正向电压时的电流方向
7.22电流分配和电流放大作用 (1)产生放大作用的条件 内部:a)发射区杂质浓度>>基区>集电区 b)基区很薄 外部:发射结正偏,集电结反偏 (2)三极管内部载流子的 传输过程 a)发射区向基区注入电子 形成发射极电流i b)电子在基区中的扩散与 复合,形成基极电流iB U C )集电区收集扩散过来的: 电子,形成集电极电流ic (3)电流分配关系: BB e=lc+lB
7.2.2 电流分配和电流放大作用 （1）产生放大作用的条件 内部：a）发射区杂质浓度>>基区>>集电区 b）基区很薄 外部：发射结正偏，集电结反偏 N P N I C I E I B RB UBB UCC RC （2）三极管内部载流子的 传输过程 a）发射区向基区注入电子 ，形成发射极电流 iE b）电子在基区中的扩散与 复合，形成基极电流 iB c）集电区收集扩散过来的 电子，形成集电极电流 iC （3）电流分配关系： iE = iC + iB
实验表明C比/B大数十至数百倍,因而有。l1虽然很 小,但对廴有控制作用,L随/B的改变而改变,即基 极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化, 表明基极电流对集电极具有小量控制大量的作用,这 就是三极管的电流放大作用。 7.23三极管的特性曲线 输入特性曲线与二极管类似 mA /mA u A RC CE 30 20 U≥1V BE 00.40.8 BB 测量三极管特性的实验电路 三极管的输入特性曲线
实验表明IC比IB大数十至数百倍，因而有。IB虽然很 小，但对IC有控制作用，IC随IB的改变而改变，即基 极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化， 表明基极电流对集电极具有小量控制大量的作用，这 就是三极管的电流放大作用。 7.2.3 三极管的特性曲线 I C I B RB UBB UCC RC V V μA mA + UCE + － UBE － 0.4 0.8 UBE /V 40 30 20 10 I B /mA 0 UCE≥1V 测量三极管特性的实验电路 三极管的输入特性曲线 1．输入特性曲线 与二极管类似