综上所述，三极管的放大作用，主要是依 靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到 达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： (1)内部条件：发射区杂质浓度远大于基 区杂质浓度，且基区很薄。 (2)外部条件：发射结正向偏置，集电结 反问偏置
综上所述，三极管的放大作用，主要是依 靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到 达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基 区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结 反向偏置
4.1.3BJT的V-I特性曲线 1.输入特性曲线 (以共射极放大电路为例) ig-fUBE) UCE=const. (1)当vce=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2)当vCE=1V时，vCB=vcE一vE>0,集电结已进入反偏状态，开 始收集电子，基区复合减少，同样的vE下减小，特性曲线右移。 (3)当vcE>IV时，已能将绝大部分电子拉到集电结来，以至于vcE再 增加，i不再明显减小，故c>IV后的输入特性曲线基本重合。 iB/μA B 00.20.40.60.8 UBE/V 共射极连接
4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 iB=f(vBE) vCE=const. (2) 当vCE=1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，开 始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下iB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） 共射极连接 (3) 当vCE>1V时，已能将绝大部分电子拉到集电结来，以至于vCE再 增加， iB不再明显减小，故vCE>1V后的输入特性曲线基本重合
4.1.3BJT的V-I特性曲线 2.输出特性曲线 饱和区 ic/mA iB=100uA ic-fUCE)i-const. 放 80μA 输出特性曲线的三个区域： 60uA 大 饱和区：ic明显受vc控制的区域， 40μA 该区域内，一般vcE<0.7V(硅管)。 20μA 此时，发射结正偏，集电结正偏或反 区 0 偏电压很小。 9 12 UCE/V 截止区 截止区：i接近零的区域，相当=0 放大区：i平行于vce轴的区域，曲 的曲线的下方。此时，发射结反偏， 线基本平行等距（ic=ig)。此时， VBE小于死区电压Vh0 发射结正偏，集电结反偏
饱和区：iC明显受vCE控制的区域， 该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。 此时，发射结正偏，集电结正偏或反 偏电压很小。 iC=f(vCE) iB=const. 2. 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0 的曲线的下方。此时，发射结反偏， vBE小于死区电压Vth。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲 线基本平行等距（ iC= βiB ）。此时， 发射结正偏，集电结反偏。 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线
4.1.4BJT的主要参数 1.电流放大系数 (1)共发射极直流电流放大系数B B=Ic/IB（hE) (2)共发射极交流电流放大系数B B=△ic/△ip
(1) 共发射极直流电流放大系数 =IC / IB（hFE） 1. 电流放大系数 4.1.4 BJT的主要参数 (2) 共发射极交流电流放大系数 =iC/iB
4.1.4BJT的主要参数 1.电流放大系数 3)共基极直流电流放大系数 a =Iclle (4)共基极交流电流放大系数α a=△icl△iE 在通常情况下，乙≈、B,可以不加区分。 今后应用中，只用符号、表示
1. 电流放大系数 (3) 共基极直流电流放大系数 =IC/IE (4) 共基极交流电流放大系数α α=iC/iE 在通常情况下， ≈、 ≈，可以不加区分。 今后应用中，只用符号、表示。 4.1.4 BJT的主要参数