第1章半导体二极管及其应用电路 说明 1.掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决 定少数载流子的浓度。 2.杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导 体，因而其导电能力大大改善。 3.杂质半导体总体上保持电中性。 4.杂质半导体的表示方法如下图所示。 ⊕④ 88 (a)N型半导体 (b)P型半导体
第1章 半导体二极管及其应用电路 说明： 1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决 定少数载流子的浓度。 3. 杂质半导体总体上保持电中性。 4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。 2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导 体，因而其导电能力大大改善。 (a)N 型半导体 (b) P 型半导体
第1章半导体二极管及其应用电路 知识点3PN结的形成及特性 1.2.1PN结的形成 1.2.2PN结的单向导电性 1.2.3PN结的电容效应 电气与电子工程学院
第1章 半导体二极管及其应用电路 知识点3 PN结的形成及特性 1.2.1 PN结的形成 1.2.2 PN结的单向导电性 1.2.3 PN结的电容效应 电气与电子工程学院
第1章半导体二极管及其应用电路 1.2.1PN结的形成 P N 在一块半导 体单晶上一侧掺 O.S ⊕④⊕ 杂成为P型半导 D⊕⊕ 体，另一侧掺杂 ⊕⊕ 成为N型半导体 空间电荷区 N 1.扩散运动 电子和空穴 Q.O ④④ 浓度差形成多数 ⊕ 载流子的扩散运 ⊕⊕④⊕ 动
第1章 半导体二极管及其应用电路 P 空间电荷区 N 1. 扩散运动 电子 和空穴 浓 度差形 成多数 载 流子的 扩散运 动。 P N 在一块半导 体单晶上一侧掺 杂成为 P 型半导 体，另一侧掺杂 成为 N 型半导体 1.2.1 PN结的形成
第1章半导体二极管及其应用电路 K DI 3.空间电荷区产生内电场 空间电荷区正负离子之间电位差U 电压势垒； 内电场； 4.漂移运动 阻挡层 内电场有利 空间电荷区 于少子运动一漂 移。 D④ ⊕ 少子的运动 与多子运动方向 相反。 内电场 5.动态平衡
第1章 半导体二极管及其应用电路 3. 空间电荷区产生内电场 P 空间电荷区 N 内电场 UD 空间电荷区正负离子之间电位差 UD —— 电压势垒； —— 内电场； 4. 漂移运动 内电场有利 于少子运动—漂 移。 少子的运动 与多子运动方向 相反。 阻挡层 5. 动态平衡
第1章半导体二极管及其应用电路 5.动态平衡 当扩散电流与漂移电流相等时，空间电荷区的宽度 达到稳定。即扩散运动与漂移运动达到动态平衡。 空间电荷区的宽度约为几至几十微米； 电压势垒Uo,硅材料约为(0.6~0.8)V, 锗材料约为(0.2~0.3)V。 电气与电子工程学院
第1章 半导体二极管及其应用电路 5. 动态平衡 当扩散电流与漂移电流相等时，空间电荷区的宽度 达到稳定。即扩散运动与漂移运动达到动态平衡。 空间电荷区的宽度约为几至几十微米； 电压势垒 UD，硅材料约为(0.6 ~ 0.8) V, 锗材料约为(0.2 ~ 0.3) V。 电气与电子工程学院