由此 0 材料中宏观应力越大,不同方位晶面间距 的差距越明显,即面间距随方位的变化率 与作用应力间存在一定的函数关系。 ·建立待测应力与空间某方位上的应变之间 的关系是问题的关键。 ·是非破坏性方法。 11
由此 • 材料中宏观应力越大,不同方位晶面间距 的差距越明显,即面间距随方位的变化率 与作用应力间存在一定的函数关系。 • 建立待测应力与空间某方位上的应变之间 的关系是问题的关键。 • 是非破坏性方法。 11
单轴应力(uniaxial stress) X Ox=EEx Z Ey=8:=-VEx dik-dhd → Ox=-E Which(hkl)? 12
单轴应力(uniaxial stress) x E x y z x 0 0 hkl hkl s hkl z d d d z x E 12 Which (hkl)?
平面应力(plane stress) 由于X射线穿透深度较浅(~10wm),材料表 面应力通常表现为二维应力状态,法线方 向的应力(g2)为零 Z(o2) 0 Y(oy) X(Ox) 13
平面应力(plane stress) • 由于X射线穿透深度较浅(~10μm),材料表 面应力通常表现为二维应力状态,法线方 向的应力(σz )为零 O Z ( ) σz X ( ) σx Y ( ) σy 13
入射X射线 Z(0:)来 必 X(Ox) 14
14 入射X射线 P
6 =l"6a.oc4+r,sm20a,sn小niv0a.+a) 入射X射线 Z(0:)米 X(0x) £叫 -d=- d d cot8a.-A,) 15
15 入射X射线 x xy y x y E E 2 2 2 cos sin2 sin sin 1 0 0 0 0 cot 180 hkl hkl hkl d d d