1.1.2杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质 就会使半导体的导电性能发生显著变化 其原因是惨杂半导体的某种载流子浓度 大大增加。载流子:电子,空穴 N型半导体(主要载流子为电子-,电子半导 体) P型半导体(主要载流子为空穴中,空穴半导 体)
1.1.2杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质， 就会使半导体的导电性能发生显著变化。 其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度 大大增加。载流子：电子，空穴 N型半导体（主要载流子为电子[-]，电子半导 体） P型半导体（主要载流子为空穴[+]，空穴半导 体）
N型半导体 硅或锗+少量磷→N型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷(或锑) 晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代,磷原子 的最外层有五个价电子,其中四个与相临的半导体 原子形成共价键,必定多出一个电子,这个电子几 乎不受束缚,很容易被激发而成为自由电子,这样 磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原 子给出一个电子,称为施主原子
N型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑）， 晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子 的最外层有五个价电子，其中四个与相临的半导体 原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几 乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样 磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原 子给出一个电子，称为施主原子。 硅或锗 +少量磷→ N型半导体
N型半导体 硅原子 磷原子 Si S 多余电子 56NQ50 AO^√A N型硅表示
N型半导体 磷原子 多余电子 硅原子 + N型硅表示 Si P Si Si
P型半导体 硅或锗+少量硼→P型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素,如硼(或 铟),晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代,硼 原子的最外层有三个价电子,与相临的半导体原子形 成共价键时,产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚 电子来填补,使得硼原子成为不能移动的带负电的离 子。由于硼原子接受电子,所以称为受主原子
P型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或 铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼 原子的最外层有三个价电子，与相临的半导体原子形 成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚 电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离 子。由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。 硅或锗 +少量硼→ P型半导体
P型半导体 硅原子 空穴 Si Si 兴N B Si P型硅表示 硼原子 空穴被认为带一个单位的正电荷,并且 可以移动
空穴 P型半导体 硼原子 Si P型硅表示 Si Si B 硅原子 空穴被认为带一个单位的正电荷，并且 可以移动