●读外ROM的过程 CPU从PC(程序计数器)中取出当前ROM的16位 地址,分别由P0口(低8位)和P2口(高8位)同 时输出,ALE信号有效时由地址锁存器锁存低8位 地址信号,地址锁存器输出的低8位地址信号和P2 口输出的高8位地址信号同时加到外ROM16位地址 输入端,当PSEN信号有效时,外ROM将相应地址存 储单元中的数据送至数据总线(PO口),CPU读入 后存入指定单元
⚫读外ROM的过程： CPU从PC(程序计数器)中取出当前ROM的16位 地址，分别由P0口（低8位）和P2口（高8位）同 时输出，ALE信号有效时由地址锁存器锁存低8位 地址信号，地址锁存器输出的低8位地址信号和P2 口输出的高8位地址信号同时加到外ROM 16位地址 输入端，当PSEN信号有效时，外ROM将相应地址存 储单元中的数据送至数据总线（P0口），CPU读入 后存入指定单元
需要指出的是:64KB中有一小段范围是80C51 系统专用单元,0003H0023H是5个中断源中断服 务程序入口地址(详见第5章),用户不能安排其他内 容 80C51复位后,PC=0000H,CPU从地址为 0000H的ROM单元中读取指令和数据。从000到 0003H只有3B,根本不可能安排一个完整的系统程 序,而80C5又是依次读ROM字节的。因此,这3B 只能用来安排一条跳转指令,跳转到其他合适的地 址范围去执行真正的主程序
需要指出的是: 64KB中有一小段范围是80C51 系统专用单元，0003H~0023H是5个中断源中断服 务程序入口地址(详见第5章)，用户不能安排其他内 容。 80C51复位后，PC=0000H，CPU从地址为 0000H的ROM单元中读取指令和数据。从0000H到 0003H只有3B，根本不可能安排一个完整的系统程 序，而80C51又是依次读ROM字节的。因此，这3B 只能用来安排一条跳转指令，跳转到其他合适的地 址范围去执行真正的主程序
2.2.2外部数据存储器(外RAM) 地址范围:0000H~FFFH1 共64KB。 读写外RAM用M0WX指令, 控制信号是P3口中的R和WR。 般情况下,只有在内RAM不能满足应用 要求时,才外接RAM
2.2.2 外部数据存储器（外RAM） ⚫ 地址范围：0000H～FFFFH 共64KB。 ⚫ 读写外RAM用MOVX指令， 控制信号是P3口中的RD和WR。 一般情况下，只有在内RAM不能满足应用 要求时，才外接RAM
●读外RAM的过程: 外RAM16位地址分别由P0口(低8位)和P2口 (高8位)同时输出,ALE信号有效时由地址锁存器 锁存低8位地址信号,地址锁存器输出的低8位地址 信号和P2口输出的高8位地址信号同时加到外RAM 16位地址输入端,当R信号有效时,外RAM将相应 地址存储单元中的数据送至数据总线(P0口), CPU读入后存入指定单元。 ●写外RAM的过程: 写外RAM的过程与读外RAM的过程相同。只是控制 信号不同,信号换成信号。当W信号有效时, 外RAM将数据总线(P0口分时传送)上的数据写入相 应地址存储单元中
外RAM 16位地址分别由P0口（低8位）和P2口 （高8位）同时输出，ALE信号有效时由地址锁存器 锁存低8位地址信号，地址锁存器输出的低8位地址 信号和P2口输出的高8位地址信号同时加到外RAM 16位地址输入端，当RD信号有效时，外RAM将相应 地址存储单元中的数据送至数据总线（P0口）， CPU读入后存入指定单元。 ⚫读外RAM的过程： ⚫写外RAM的过程： 写外RAM的过程与读外RAM的过程相同。只是控制 信号不同，信号换成WR信号。当WR信号有效时， 外RAM将数据总线（P0口分时传送）上的数据写入相 应地址存储单元中
2.2.3内部数据存储器(内RAM) 从广义上讲,80C51内RAM(128B)和特殊 功能寄存器(128B)均属于片内RAM空间,读 写指令均用MoV指令。但为加以区别,内RAM通 常指0OH~7FH的低128B空间
2.2.3 内部数据存储器（内RAM） 从广义上讲，80C51内RAM（128B）和特殊 功能寄存器（128B）均属于片内RAM空间，读 写指令均用MOV指令。但为加以区别，内RAM通 常指00H～7FH的低128B空间