重科技院 CHONGQING UNIE RSTY OF SCIENCE A TEOINOI OGY 在谐振腔内,自发辐射光振荡、反馈,产生光的相长干涉和相消干涉,形成单一波长的相 千光。 这种单一波长的相干光,将进一步引起处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合,形成 受激辐射作用,产生同样的相干光。 ≯再利用光学谐振腔的正反馈,实现受激辐射光的振荡放大,输出功率倍增方向集中的单色 光—激光
➢在谐振腔内，自发辐射光振荡、反馈，产生光的相长干涉和相消干涉，形成单一波长的相 干光。 ➢这种单一波长的相干光，将进一步引起处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合，形成 受激辐射作用，产生同样的相干光。 ➢再利用光学谐振腔的正反馈，实现受激辐射光的振荡放大，输出功率倍增方向集中的单色 光——激光
重科技院 CHONGQING UNIE RSTY OF SCIENCE A TEOINOI OGY 激光束的频率取决于半导体材料导带和价带之间的能级差, 即禁带宽度AE。 受激前 受激中 受激后 导带 D △E 价带 E E2-E1=△E=h 图5-8受激辐射效应及光子频率的决定因素示意图
➢激光束的频率ν取决于半导体材料导带和价带之间的能级差， 即禁带宽度ΔE。 图5-8 受激辐射效应及光子频率的决定因素示意图
重科技院 CHONGQING UNIE RSTY OF SCIENCE A TEOINOI OGY 半导体材料的禁带宽度主要取决于不同的半导体材料,但是半导体能带裁 剪技术下PN结参数的变化或者半导体材料配比的小幅调整也能改变禁带宽 度 >所以通过制备不同的半导体材料可以控制所得半导体激光器的发射波长
➢半导体材料的禁带宽度主要取决于不同的半导体材料，但是半导体能带裁 剪技术下P-N结参数的变化或者半导体材料配比的小幅调整也能改变禁带宽 度。 ➢所以通过制备不同的半导体材料可以控制所得半导体激光器的发射波长
重科技院 CHONGQING UNIE RSTY OF SCIENCE A TEOINOI OGY (3半导体激光器的类型和结构 铅盐激光器能在中红外范围工作的半导体激光器。 但是,铅盐激光器需要在液氮温度下才能工作,输出功率较低 (100μW),并且不是单模工作,这些缺点限制了它的广泛使用
(3)半导体激光器的类型和结构 ➢铅盐激光器能在中红外范围工作的半导体激光器。 ➢但是，铅盐激光器需要在液氮温度下才能工作，输出功率较低 (100μW)，并且不是单模工作，这些缺点限制了它的广泛使用
重科技院 CHONGQING UNIE RSTY OF SCIENCE A TEOINOI OGY 波长范围076~1.81m的分布反馈式DFB, distributed feedback激光器得 到广泛应用。 DFB激光器具有室温工作、输出功率髙、单模工作、光谱线窄、工作寿命 长超过10年和价格较低等突出优点,非常适合应用于DLAS技术
➢波长范围0.76～1.81μm的分布反馈式(DFB, distributed feedback)激光器得 到广泛应用。 ➢DFB激光器具有室温工作、输出功率高、单模工作、光谱线窄、工作寿命 长(超过10年)和价格较低等突出优点，非常适合应用于DLAS技术