二、半导体存储器的分类 1、随机存取存储器RAM a.静态RAM(ECL,TTL,MOS) b.动态RAM
二、半导体存储器的分类 1、随机存取存储器RAM a. 静态RAM （ECL，TTL，MOS） b. 动态RAM
2、只读存储器ROM a.掩膜式ROM b.可编程的PROM C.可用紫外线擦除、可编程的 EPROM d.可用电擦除、可编程的E2PROM等
2、只读存储器ROM a. 掩膜式ROM b. 可编程的PROM c. 可用紫外线擦除、可编程的EPROM d. 可用电擦除、可编程的E 2PROM等
H可用紫外线擦除、可编程的 EPROM Vcc 位 行线 线输出 绝缘层 D 浮栅管 浮动栅雪崩注入式 S 位线 MOS管
D S Vcc 位 线 输 出 位线 浮栅管 行线 绝缘层 浮动栅雪崩注入式 MOS管 可用紫外线擦除、可编程的EPROM
编程 使栅极带电 擦探除 EPROM芯片上方有一个石英玻璃窗口 定光强的紫外线透过窗口照射时,所 有存储电路中浮栅上的电荷会形成光电流泄 放掉,使浮栅恢复初态 般照射20~30分钟后,读出各单元的内 容均为FFH,说明 EPROM中内容已被擦除
◼编程 ◼使栅极带电 ◼擦除 ◼EPROM芯片上方有一个石英玻璃窗口 ◼当一定光强的紫外线透过窗口照射时，所 有存储电路中浮栅上的电荷会形成光电流泄 放掉，使浮栅恢复初态。 ◼一般照射20～30分钟后，读出各单元的内 容均为FFH，说明EPROM中内容已被擦除
静态RAM(SRAM) RAM{动态RAM(DRAM 掩膜型ROM ROM可编程ROM(PROM) 可擦除可编程ROM( EPROM 电可擦除可编程ROM(E2PROM)
RAM 静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM） ROM 掩膜型ROM 可编程ROM（PROM） 可擦除可编程ROM（EPROM） 电可擦除可编程ROM（E2PROM)