《模拟电子技术》课程教学资源（PPT课件讲稿）第四章 放大电路的频率响应

模拟电子技术 单级放大器的高频性 1.晶体三极管的混合π型等效电路 C 因B值随频 b'G b 率升高而降 低,高频下 cCbe:几pF,限制着 放大器频带的展宽 不能采用HBPb B b 参数等效电 b'e 路。 E

模 拟 电 子 技 术 因  值随频 率升高而降 低，高频下 不能采用 H 参数等效电 路。 二、单级放大器的高频性 1. 晶体三极管的混合  型等效电路 B E B C rbb rbe rbc Cb c Cb e Cbe ：不恒定， 与工作状态有关 Cbc ：几 pF，限制着 放大器频带的展宽

模拟电子技术 2.B与频率∫的关系 J-共发射极截止频率B=0.707 0.707B0 斤-特征频率=1 可求得: 6 2Tr,e (Che+Crs =6J 2T(O b'e+Cr b 同样可求得:fa (1+6) 2nr (Che tc b'c 可见: f≈f>B

模 拟 电 子 技 术 2.  与频率 f 的关系 f  = 0.707 0  — 共发射极截止频率 fT — 特征频率  = 1 可求得： 2 ( ) 1  be be + bC = r C C f    f C C g f 0 b e b c m T 2 ( ) =  + =   同样可求得： 2 ( ) 1  e be + bc = r C C f    (1 ) f = + 0 可见：   f  f   f T f  f o 0.707o 1 fT O

模拟电子技术 3.晶体管单级放大电路高频特性 bbb B R b′e (C1,C2视为短路) b'epb'etb R e R'L=RCc∥RL ↓勒效 M=(1+8MR'DO b'c B bb B +在输出回路略去 b'c b m b'e RTUO OH=1/R, Ct b e fH=1/2T R Ct A

模 拟 电 子 技 术 3. 晶体管单级放大电路高频特性 E B B C Ube Uo rbb  rbe Cb e Cb c m Ube g R L R S • US • • • rbb  E B B C Uo rbe Cb e m Ube g CM R L RS US • Ube • • • 密勒等效 (C1，C2视为短路) 在输出回路略去Cbc R L = RC // RL H = 1/RtCt fH = 1/2 RtCt CM= (1 + gmR L ) Cbc