第五章半导体存储器接口技术 4)串行电擦除可编程只读存储器PROM: AT24C02工作原理 SDA SCL 启动 停止 启停时序」
第五章 半导体存储器接口技术 •4) 串行电擦除可编程只读存储器E PROM： • AT24C02——工作原理 • 2 SDA SCL 启动 停止 启停时序
第五章半导体存储器接口技术 4)串行电擦除可编程只读存储器PROM: AT24C02—工作原理 输出确认:每当收到8位数据字,在第九个 时钟周期发回一个确认信号 复位步骤:时钟为第九个周期 当SCL为高电平,查看SDA SDA为高时,生成一个启动条件
第五章 半导体存储器接口技术 •4) 串行电擦除可编程只读存储器E PROM： • AT24C02——工作原理 • 输出确认：每当收到8位数据字，在第九个 • 时钟周期发回一个确认信号。 •复位步骤： 时钟为第九个周期 • 当SCL为高电平，查看SDA • SDA为高时，生成一个启动条件 2
第五章半导体存储器接口技术 4)串行电擦除可编程只读存储器PROM: AT24C02—工作原理 设备地址:1010A2A1A0 写操作:字节写 页写 读操作:当前地址读 随机读 顺序读
第五章 半导体存储器接口技术 •4) 串行电擦除可编程只读存储器E PROM： • AT24C02——工作原理 • 设备地址：1010 A2A1A0 • 写操作：字节写 • 页写 • 读操作：当前地址读 • 随机读 • 顺序读 2
第五章半导体存储器接口技术 5、静态随机存储器SRAM 常做高速缓冲器 代表:62256 特点 含32K字节存储单元 15根地址线,可访问32K存储单元 8根数据线 3个控制引脚
第五章 半导体存储器接口技术 •5、静态随机存储器SRAM • 常做高速缓冲器 • 代表：62256—— • 特点 • 含32K字节存储单元 • 15根地址线，可访问32K存储单元 • 8根数据线 • 3个控制引脚
第五章半导体存储器接口技术 5、静态随机存储器SRAM 1)静态存储器定时图 描述存储器读/写周期的各控制信号 产生的时间。 CS:片选 R/W:读写 OE:输出使能
第五章 半导体存储器接口技术 •5、静态随机存储器SRAM •1）静态存储器定时图 • 描述存储器读/写周期的各控制信号 • 产生的时间。 • CS：片选 R/W：读写 OE：输出使能