第三章晶体结构缺陷第一节点缺陷第二节位错的结构第四节位错的应力场第三节位错的运动第五节位错与晶体缺陷间的交互作用Interactions between dislocations and crystal defects第六节位错的增殖、塞积与交割Proliferation,pile-up and intersection of dislocations第七节实际晶体中的位错Dislocations in actual crystals21
21 第三章 晶体结构缺陷 第一节 点缺陷 第二节 位错的结构 第三节 位错的运动 第四节 位错的应力场 第五节 位错与晶体缺陷间的交互作用 第六节 位错的增殖、塞积与交割 第七节 实际晶体中的位错 Interactions between dislocations and crystal defects Proliferation,pile-up and intersection of dislocations Dislocations in actual crystals
第六节位错的增殖、塞积与交割Proliferation,pile-up and intersection of dislocations一、位错的增殖Proliferation动画位错运动时的原子位移理论值金属晶须>晶体每滑移一个b，>就应该有一个位错消失加工硬化态退火态(10-1012>金属塑变后位错p应减小。(105108cm/cm3)cm/cm3而金属塑变后位错p增加了。位错密度P
一、位错的增殖 Proliferation动画 ➢晶体每滑移一个b， ➢就应该有一个位错消失， ➢金属塑变后位错ρ应减小。 ➢而金属塑变后位错ρ增加了。 第六节 位错的增殖、塞积与交割 Proliferation,pile-up and intersection of dislocations
晶体塑性变形过程中位错发生了增殖任错运动1·目前被普遍接受的位错增殖机制是Frank-Read提出的机制。1)Frank-Read源增殖机制理论值金属晶须2)双交滑移增殖机制加工硬化态退火态(10-1012(1051083）空位聚集形成位错cm/cm3cm/cm3位错密度P
1) Frank-Read源增殖机制 2) 双交滑移增殖机制 ♣ 晶体塑性变形过程中位错发生了增殖。 ♣目前被普遍接受的位错增殖机制是 Frank-Read提出的机制。 3) 空位聚集形成位错 位错运动1
(1)Frank-Read源增殖机制g=o1BA滑移面（a）0.25uF-R源电子显微照片(330.000x24
24 （一）Frank-Read源增殖机制
(一)Frank-Read源增殖机制MICROMEGASPure-Mixte25
25 （一）Frank-Read源增殖机制