S G D P G 预埋了导 电沟道 P沟道耗尽型
(1-6) P 沟道耗尽型 N P P S G D G S D 预埋了导 电沟道
二、M管的工作原理 以N沟道增强型为例 U=0时 DS n=0 D G D 对应截止区 N P DS间相当于 两个反接的 PN结
(1-7) 二、MOS管的工作原理 以N 沟道增强型为例 P N N S G D UGS UDS UGS=0时 D-S 间相当于 两个反接的 PN结 ID=0 对应截止区
Ucs足够大时 (Us>r)将P 区少子电子聚集 GS 0时 到P区表面,形 成导电沟道,如 DS 果此时加有漏源 电压,就可以形 G丫D 成漏极电流i。 N 感应出电子」p V称为阙值电压
(1-8) P N N S G D UGS UDS UGS>0时 UGS足够大时 （UGS>VT）将P 区少子电子聚集 到P区表面，形 成导电沟道，如 果此时加有漏源 电压，就可以形 成漏极电流id。 感应出电子 VT称为阈值电压
Ucs较小时,导 电沟道相当于电 DS 阻将DS连接起 来,Ucs越大此 sGD|电阻越小 N N P
(1-9) UGS较小时，导 电沟道相当于电 阻将D-S连接起 来，UGS越大此 电阻越小。 P N N S G D UGS UDS