与非门工作原理 返回 输入端全为高电平 L·Vb1 bclbe2be5 0.7×3=2.1V 发射结反偏而集电极正 R1A I R2 3k75 偏.处于倒置放大状态 100 T2:饱和状态 3.6V 0.3V c2 ces 2 3.6VB Vba5≈1V,使T3导通, 3.6VC B2 ) 8 0.7≈0.3V,使T截止。 :深饱和状态, 输入级中级输出级 因此输出为逻辑低电 平Vor=0.3V 图2-2TL“与非”门曲型电路
• 输入端全为高电平 3 .6V 3 .6V 2.1V 0 .3V T 1 : V b 1 = Vbc 1+Vbe 2+Vbe 5 = 0 . 7 V × 3 = 2 . 1 V 因此输出为逻辑低电 平VOL = 0.3V 3 .6V 发射结反偏而集电 极 正 偏 .处于倒置放大状态 T 2：饱和状态 T 3 ： V c 2 = Vces 2 + Vbe 5 ≈ 1 V ， 使 T 3导通 ， V e 3 = V c 2 - Vbe 3 = 1 - 0 . 7 ≈ 0 . 3 V ， 使 T 4截止 。 T 5：深饱和状态， TTL与非门工作原理 返回
1与非门工作原理倒置放大状态返回 T2:饱和状态 导通状杰 输入端全为高电平 输出为低电平 T2:截止状态 T3:微饱和状态 35 输入至少有一个为 4:放大状态 100 低电平时,输出为高 5:截止状态 电平 由此可见电路的输 BC ) 出和输入之间满足 与非逻辑关系 k F=ABC 输入级中级输出级 TL“与非”门典型电路
返回 • 输入端全为高电平， 输出为低电平 • 输入至少有一个为 低电平时，输出为高 电平 由此可见电路的输 出和输入之间满足 与非逻辑关系 F = ABC T1：倒置放大状态 T2：饱和状态 T3：导通状态 T4：截止状态 TT 5 2：深饱和状态 ：截止状态 T3：微饱和状态 T4：放大状态 T5：截止状态 TTL与非门工作原理
TTL与非门工作速度 返回 存在问题:TTL门电路工作速度相对于Mos较快,但由 于当输出为低电平时T5工作在深度饱和状态,当输出 由低转为高电平,由于在基区和集电区有存储电荷不 能马上消散,而影响工作谏度 改进型T与非门 R囗R R5 ●可能工作在饱和状 态下的晶体管T1、T2 T3、T5都用带有肖特 基势垒二极管 的三极管代替 R 制其饱和深度 工作速度 (a)
TTL与非门工作速度 存在问题：TTL门电路工作速度相对于MOS较快，但由 于当输出为低电平时T5工作在深度饱和状态，当输出 由低转为高电平，由于在基区和集电区有存储电荷不 能马上消散，而影响工作速度。 改进型TTL与非门 •可能工作在饱和状 态下的晶体管T1、T2、 T3、T5都用带有肖特 基势垒二极管（SBD） 的三极管代替，以限 制其饱和深度，提高 工作速度 返回
改进型T与非门 ●增加有源泄放电路 Rs 1、提高工作速度 R 减少了电路的开启时间 缩短了电路关闭时间 不R B 2、提高抗干扰能力 T2、T同时导通,因 此电压传输特性曲线 过渡区变窄,曲线变 陡,输入低电平噪声 容限V提高了07V左 由T6、R和R3构成 右 的有源泄放电路来 代替T2射极电阻R3
返回 改进型TTL与非门 • 增加有源泄放电路 1、提高工作速度 由 T 6 、 R 6 和 R3构成 的有源泄放电路来 代替 T 2射极电阻 R3 减少了电路的开启时间 缩短了电路关闭时间 2、提高抗干扰能力 T2、T5同时导通， 因 此电压传输特性曲线 过渡区变窄 ，曲线变 陡 ，输入低电平噪声 容限 VNL提高了 0 . 7 V 左 右
TT“与非”门的外特性及主要参 电压传输特性 mT与非”门输入电压V1与输出线性区当0.6V≤V1≤1.3 即Vo=f(Ⅵr) 0.7V≤V2<1.4V时,T2导 通,T5仍截止,Vc2随V2升 高而下降,经T3、T4两级 接Wc或悬空A 4射随器使V下降 B Ⅵ (V) 饱和区 典型TL“与非 (a)传输特性测试电路(b)电压传输特性曲线 返回
TTL“与非”门的外特性及主要参 • 电压传输特性 数 TTL“与非”门输入电压VI与输出电压VO之间的关系曲线， 即 VO = f（VI） 截止区 当 VI≤0.6V ， Vb1≤1.3V时，T2、T5截止， 输出高电平VOH = 3.6V 线性区当0.6V≤VI≤1.3V， 0.7V≤V b2＜1.4V时，T2导 通，T5仍截止，VC2随Vb2升 高而下降，经T3、T4两级 射随器使VO下降 转折区 饱和区 返回