本节中的有关概念 本征半导体、本征激发一自由电子 空穴 复合 半导体导电特点1:其能力容易受温度、光照等环境因素影响 温度↑→载流子浓度↑→导电能力个 杂质半导体N型半导体、施主杂质(5价) P型半导体、受主杂质(3价) 半导体导电特点2:掺杂可以显著提高导电能力 多数载流子、少数载流子 end HOME BACK
• 本征半导体、本征激发 本节中的有关概念 end 自由电子 空穴 N型半导体、施主杂质(5价) P型半导体、受主杂质(3价) • 多数载流子、少数载流子 •杂质半导体 复合 *半导体导电特点1：其能力容易受温度、光照等环境因素影响 温度↑→载流子浓度↑→导电能力↑ *半导体导电特点2：掺杂可以显著提高导电能力
22PN结的形成及特性 221PN结的形成 222PN结的单向导电性 223PN结的反向击穿 224PN结的电容效应 HOME
2.2 PN结的形成及特性 2.2.1 PN结的形成 2.2.2 PN结的单向导电性 2.2.3 PN结的反向击穿 2.2.4 PN结的电容效应
22.1PN结的形成 1、浓度差→多子的扩散运动 2、扩散→空间电荷区→内电场 3、内电场→少子的漂移运动 4、扩散与漂移达到动态平衡 图22.1PN结的形成 HOME BACK NEXT
2.2.1 PN结的形成 图2.2.1 PN结的形成 1、浓度差→多子的扩散运动 2、扩散→空间电荷区→内电场 3、内电场→少子的漂移运动 4、扩散与漂移达到动态平衡