i/mA共发射极接法输出特性曲线avi CE BE =40uA 放 饱 30uA 和 区 大 Active Region 20u A Saturation 区 Region 10u A Ou a CBO 0磁 10 CE 截止区 Cutoff Region 图2—5共射输出特性曲线 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 21
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 21 uCE 5 10 15 /V 0 1 2 3 4 饱 和 区 截止区 I B ＝40μ A 30μ A 20μ A 10μ A 0μ A i B ＝ －I CBO 放 大 区 i C /mA uCE ＝uBE 图2―5 共射输出特性曲线 共发射极接法输出特性曲线.avi Active Region Cutoff Region Saturation Region
1.放大区(发射结正偏,集电结反偏) (1)cE变化时,l影响 C 很小(恒流特性) CBO N R (2)基极电流i对集电 b c极电流ic的控制作 BN P 用很强 B ●●● N EP EN (3)交流电流放大倍数 UBB e h △Ⅰ B 14cE=常数 △ 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 22
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 22 c IC e IE N P N IB RC UCC UBB RB ICBO b IBN IEP IEN ICN 1. 放大区（发射结正偏， 集电结反偏） （1）uCE 变化时, IC 影响 很小（恒流特性） （2）基极电流 iB 对集电 极电流 iC 的控制作 用很强 （3）交流电流放大倍数 =常数 = uC E B C I I
2.饱和区(发射结和集电结均处于正向偏置) 内部载流子的传输过程分解为 E结正偏C结零偏的正向传输 N凵R C结正偏E结零偏的反向传输 pa(1)iB一定时,tc比圈 R 放大时要小 N (2)U CE 定时i增 BB e 大,ic基本不变 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 23
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 23 c IC e IE N P N IB RC UCC UBB RB b 2. 饱和区（发射结和集电结均处于正向偏置） E结正偏C结零偏的正向传输 （1） i B 一定时，i C 比 放大时要小 （2）U CE 一定时 i B 增 大，i C 基 本不变 C结正偏E结零偏的反向传输 内部载流子的传输过程分解为
关于饱和区的说明 >临界饱和:UcE=UBE,即UCB=0(C结零偏) >饱和压降(一般饱和深度饱和) UCE(Sat)=0.5V0.3V(小功率S管); U CE(sat) 0.2V|0.1V(小功率Ge管 饱和( saturation) 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 24
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 24 ➢临界饱和：UCE = UBE，即UCB=0（C结零偏）。 ➢饱和压降（一般饱和||深度饱和） UCE(sat) = 0.5V||0.3V（小功率Si管）； UCE(sat) = 0.2V||0.1V（小功率Ge管）。 饱和（saturation） 关于饱和区的说明
3.截止区(发射结和集电结均处于反向偏置) 三个电极均为反向电流,所以数值很小 (1)iB=icBo(此时iE CBO N[R=0)以下称为截止区 P/(c(2)工程上认为:iB=0圈 以下即为截止区。因 B N EBO 为在iB=0和B=icBo UI 间,放大作用很弱 BB h 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 25
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 25 c IC e IE N P N IB RC UCC UBB RB b 3. 截止区（发射结和集电结均处于反向偏置） 三个电极均为反向电流，所以数值很小。 （1）i B =-i CBO （此时i E =0 ）以下称为截止区 （2）工程上认为：i B =0 以下即为截止区。因 为在i B =0 和i B =-i CBO 间，放大作用很弱 ICBO I EBO