结构特点 1三区二结 2基区很薄(几个微米至几十个微米) 3e区重掺杂、c区轻掺杂、b区掺杂最轻 4S结>S结 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 11 结构特点 1.三区二结 2.基区很薄（几个微米至几十个微米） 3.e区重掺杂、 c区轻掺杂、 b区掺杂最轻 4.Sc结>Se结
2-1-1放大状态下晶体管中载流子的传输过程 (发射结正偏,集电结反偏) 、发射区向基区注入电子 二、电子在基区中边扩散边复合 、扩散到集电结的电子被集电区收集 基区从厚变薄,两个PN结演变为三极管,这是量 变引起质变的一个实例 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 12 2-1-1放大状态下晶体管中载流子的传输过程 一、发射区向基区注入电子 二、电子在基区中边扩散边复合 三、扩散到集电结的电子被集电区收集 （发射结正偏，集电结反偏） 基区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量 变引起质变的一个实例
双极型三极管的电流传输关系avi N 15V R B ●●● CC N EP U e BB 图2—2晶体管内载流子的运动和各极电流 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 13
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 13 图2―2 晶体管内载流子的运动和各极电流 c IC e IE N P N IB RC UCC UBB RB ICBO 15V b IBN IEP IEN ICN 双极型三极管的电流传输关系.avi
2-1-2电流分配关系 ↓Ic CBO N B E nRc E B C CC BN P E EP EN RF ●●● N EP EN B BN+ EP CBO U BB el CN +I CBO N跨越两个PN节,体现了放大作用 2021年2月24日星期三 模拟电子技术
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 14 2-1-2 电流分配关系 c IC e IE N P N IB RC UCC UBB RB ICBO b IBN IEP IEN ICN IB IC IE 跨越两个PN节，体现了放大作用
直流电流放大系数 发射区发射效率 lo C CN. EN=nBni E CBO Ro E EN E N CBO 基区传输效率 CC B P E 合 IB EQ R 般 B ●●● N EP =0.970.99 BB e h 2021年2月24日星期三 模拟电子技术 15
2021年2月24日星期三 模拟电子技术 15 一、直流电流放大系数 E C CBO B E E E N E N CN E CN I I I I I I I I I − = = = = 基区传输效率 发射区发射效率 一般 c IC e IE N P N IB RC UCC UBB RB ICBO b IBN IEP IEN ICN