单片微机正朝多功能、多选择、高速度、低功耗、低价格、扩大 存储容量和加强ⅣO功能及结构兼容方向发展。 (1)多功能 在单片微机中尽可能多的把应用系统中所需要的存储器、 各种功能的O口都集成在一块芯片内,即外围器件内装化,如 把LED、LCD或VFD显示驱动器集成在8位单片微机中,如把 A/D、DA、乃至多路模拟开关和采样/俫保持器也集成在单片微机 芯片中,从而成为名副其实的单片微机。 (2)高性能 为了提高速度和执行效率,在单片微机中开始使用RISC 体系结构、并行流水线操作和DSP等的设计技术,使单片微机的 指令运行速度得到大大提高,其电磁兼容等性能明显地优于同类 型的微处理器
单片微机正朝多功能、多选择、高速度、低功耗、低价格、扩大 存储容量和加强I/O功能及结构兼容方向发展。 ⑴ 多功能 在单片微机中尽可能多的把应用系统中所需要的存储器、 各种功能的I/O口都集成在一块芯片内，即外围器件内装化，如 把LED、LCD或VFD显示驱动器集成在8位单片微机中，如把 A/D、D/A、乃至多路模拟开关和采样/保持器也集成在单片微机 芯片中，从而成为名副其实的单片微机。 ⑵ 高性能 为了提高速度和执行效率，在单片微机中开始使用RISC 体系结构、并行流水线操作和DSP等的设计技术，使单片微机的 指令运行速度得到大大提高，其电磁兼容等性能明显地优于同类 型的微处理器
1(3)全盘CMOS化趋势 单片微机采用二种半导体工艺生产,HMOS工艺即高密 度短沟道MOS工艺,具有高速度和高密度; CHMOS工艺即互 补金属氧化物的HMOS工艺,除具有HMOS的优点外,还具有 CMOS工艺的低功耗特点。如8051的功耗为630mw,而80C51 的功耗仅120mw。 从第三代单片微机起开始淘汰非CMOS工艺。 (4)推行串行扩展总线 推行串行扩展总线可以显著减少引脚数量,简化系统结 构。随着外围器件串行接口的发展,单片微机的串行接口的普 遍化、高速化,使得并行扩展接口技术日渐衰退
⑶ 全盘CMOS化趋势 单片微机采用二种半导体工艺生产，HMOS工艺即高密 度短沟道MOS工艺，具有高速度和高密度；CHMOS工艺即互 补金属氧化物的HMOS工艺，除具有HMOS的优点外，还具有 CMOS工艺的低功耗特点。如8051的功耗为630mw，而80C51 的功耗仅120mw。 从第三代单片微机起开始淘汰非CMOS工艺。 ⑷ 推行串行扩展总线 推行串行扩展总线可以显著减少引脚数量，简化系统结 构。随着外围器件串行接口的发展，单片微机的串行接口的普 遍化、高速化，使得并行扩展接口技术日渐衰退