(二)P型半导体 硅原子 空穴 电子空穴对 空穴 形成 P型半导体 在本征半 日|eee 导体中掺入 +3 微量三价元 素 硼原子 受主离子 多数载流子一空穴少数载流子一电子
形成： 在本征半 导体中掺入 微量三价元 素。 §1.1 PN结 － － － － － － － － － － － － P型半导体 硅原子 空穴 硼原子 电子空穴对 空穴 受主离子 （二）P型半导体 多数载流子--空穴 少数载流子--电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3
二、PN结的形成 形成过程: P型和N型半导体结合 多子浓度差 P型半导体空间电荷区N型半导体 扩散运动 内电场建立 :·(·(· 耗尽层 阻碍扩散运动 少子漂移电流 多子扩散电流 促使漂移运动 动态平衡→形成空间电荷区—PN结形成
二、PN结的形成 形成过程： P型和N型半导体结合 扩散运动 内电场建立 阻碍扩散运动 促使漂移运动 动态平衡 形成空间电荷区 PN结形成 §1.1 PN结 空间电荷区 少子漂移电流 多子扩散电流 耗尽层 多子浓度差 P型半导体 N型半导体
空间电荷 三、RN结的单向导电性 区变窄 1、ⅨN结正向偏置 正偏—P区接 电源正极,N区接电 源负极。 内电场方 外电场方 向 PN结正偏时呈导通状态,正向电阻很小,正向电流很大
三、PN结的单向导电性 1、PN结正向偏置 PN结正偏时呈导通状态，正向电阻很小，正向电流很大。 §1.1 PN结 正偏——P区接 电源正极，N区接电 源负极。 空间电荷 区变窄 内电场方 向 外电场方 向
2、PN结反向偏置 空间电荷 区变宽 反偏—P区接 电源负极,N区接电 源正极。 内电场方 R 向 外电场方 PN结反偏时呈截止状态,反向电阻很大,反向电流很小
§1.1 PN结 2、PN结反向偏置 反偏——P区接 电源负极，N区接电 源正极。 PN结反偏时呈截止状态，反向电阻很大，反向电流很小。 空间电荷 区变宽 内电场方 向 外电场方 向
==L半显体三管及基盛 §1.2半导体二极管 学习目标:1.了解二极管的结构和类型 2.掌握二极管的伏安特性 3.熟悉二极管的使用方法 学习重点:1.二极管的伏安特性 2.二极管的主要参数
§1.2 半导体二极管 学习目标：1.了解二极管的结构和类型 2.掌握二极管的伏安特性 3.熟悉二极管的使用方法 学习重点：1.二极管的伏安特性 2.二极管的主要参数 第1章 半导体二极管及其应用