三、浮栅编程技术 用浮栅编程技术生产的编程单元是一种能多次改写的 ROM,即已写入的内容可以擦去,也可以重新写入新的内 容 )叠栅型( SIMOS)存储单元 VDD GND 5V 5V 负载管 GND 25V s选择栅G 输出 浮栅 字线(Wn) Ⅳ[年Ⅳ+ 型付底P型注入 位线 叠栅管 无 开肩串鬥
三、浮栅编程技术 用浮栅编程技术生产的编程单元是一种能多次改写的 ROM，即已写入的内容可以擦去，也可以重新写入新的内 容。 （一）叠栅型（SIMOS）存储单元 GND 25V 25V — 1 1 1 无 0 + + + + 开启电压加大 + + + + + + 开启电压 GND 5V 5V
浮栅上的电荷无放电通路,没法泄漏。 用紫外线照射芯片上的玻璃窗,则形成光电电流,把栅极 电子带回到多晶硅衬底,SMOS管恢复到初始的导通状态 0403105 2品
浮栅上的电荷无放电通路，没法泄漏。 用紫外线照射芯片上的玻璃窗，则形成光电电流，把栅极 电子带回到多晶硅衬底，SIMOS管恢复到初始的导通状态
(二)隧道型( FLOTOX)储存单元 節歃饞慜腰虅区太餉櫥愆叠须用 紫处掩照厚度约閃洵埃茵濾绝于快速改变储存信息的场合 用隧道型储存单元制成的存储器克服了这一缺点,它称为电可改写 只读存储器起PROM,电擦除、电编程的只读存储器 擦除浮栅电荷 时,G加5V, 苛时,G加 D接25V ,D接GND 负载管 输出 浮栅 位选管 字线(Wm + ⊙N+ 隧道 位线 型衬底 控制栅 隧道 面积大 80埃
隧道 80埃 面积大 向浮栅写入 电荷时，G加 25V，D接GND 擦除浮栅电荷 时，G加5V， D接25V （二）隧道型（FLOTOX）储存单元 前面研究的可擦写存储器的缺点是要擦除已存入的信息必须用 紫外光照射一定的时间，因此不能用于快速改变储存信息的场合， 用隧道型储存单元制成的存储器克服了这一缺点，它称为电可改写 只读存储器E2PROM，即电擦除、电编程的只读存储器。 FLOTOX 它与叠栅型管的不同在于浮栅延长区与漏区 管的结构剖面示意图如图所示。 N 之间的交叠 处有一个厚度约为80埃的薄绝缘层
(三)闪速型( Flash)存储单元 闪速存储单元又称为快擦快 浮栅 写存储单元。右图是闪速存储单 元剖面图。 + 闪速存储单元去掉了隧道型存 10埃 储单元的选择管,它不像E2PROM P型衬 那样一次只能擦除一个字,而是可 以用一个信号,在几毫秒内擦除 大区段。 吚跖工侮稈薷郸无魇幔避疵獰元個纬桮圃碕处: 单、賈有篷吞篠單阳瀇痿膊动铡殘貯赑传$高两 区域不是对称的,使浮栅上的电子进行分级观扩散,电子扩 散的速度远远大于叠栅型存储单元 2.叠栅存储单元的浮栅到P型衬底间的氧化物层约200埃左 右,而闪速存储单元的氧化物层更薄,约为100埃
（三）闪速型（Flash）存储单元 闪速存储单元又称为快擦快 写存储单元。右图是闪速存储单 元剖面图。 闪速存储单元去掉了隧道型存 储单元的选择管，它不像E2PROM 那样一次只能擦除一个字，而是可 以用一个信号，在几毫秒内擦除一 大区段。 因此，闪速存储单元比隧道型存储单元的芯片结构更简 单、更有效，使用闪速存储单元制成的PLD器件密度更高。 Flash工作原理类似于叠栅型存储单元，但有两点不同之处： 1. 闪速存储单元源极的区域S n+大于漏极的区域Dn+，两 区域不是对称的，使浮栅上的电子进行分级双扩散，电子扩 散的速度远远大于叠栅型存储单元； 2. 叠栅存储单元的浮栅到P型衬底间的氧化物层约200埃左 右，而闪速存储单元的氧化物层更薄，约为100埃
(四)、六管静态存储单元 闪速存储单元的可再编程能力约为10万次左右,但还是不 及SRAM那样有无限制的再编程能力,以SRAM为存储单元的 现场可编程门阵列(FPGA)可以实现无限次从一种运行逻辑 转换到另一种运行逻辑的功能。 下图是SRAM六管存储单元,由两个具有有源下拉n沟道 晶体管和有源上拉p沟道晶体管交互耦合的倒相器组成。 高和低电平是用具 字线 有分别到电源Ⅴcc和地 GND的低阻抗通道的有 源器件定义的两个电平。 D1、D2为两个传输 D1 D2 NMOs管,其栅极接到8线 位线 字线,源极分别接到两 条互补的位线上,起传 输作用
（四）、六管静态存储单元 闪速存储单元的可再编程能力约为10万次左右，但还是不 及SRAM那样有无限制的再编程能力，以SRAM为存储单元的 现场可编程门阵列（FPGA）可以实现无限次从一种运行逻辑 转换到另一种运行逻辑的功能。 下图是SRAM六管存储单元，由两个具有有源下拉n沟道 晶体管和有源上拉p沟道晶体管交互耦合的倒相器组成。 高和低电平是用具 有分别到电源VCC和地 GND的低阻抗通道的有 源器件定义的两个电平。 D1、D2为两个传输 NMOS管，其栅极接到 字线，源极分别接到两 条互补的位线上，起传 输作用