3.2PN结的形成及特性 1.PN结的形成 PN结合→因多子浓度差→多子的扩散→空间电荷区 →形成内电场→阻止多子扩散，促使少子漂移。 内电场E P型半导体 空间电荷区N型半导体 O°O°O° O°O°O9 耗尽区 多子扩散电流 少子漂移电流
内电场E →因多子浓度差 →形成内电场 →多子的扩散 →空间电荷区 →阻止多子扩散，促使少子漂移。 PN结合 － － － － － － － + + － + + + + + － + P型半导体 － － + + N型半导体 + － + 空间电荷区 多子扩散电流 少子漂移电流 耗尽区 3.2 PN结的形成及特性 1 . PN结的形成
补充耗尽层失去的多子，耗尽层变窄，E 少子漂移 多子扩散 失去多子，耗尽层变宽，E「 内电场E P型半导体 耗尽层 N型半导体 多子扩散电流 少子漂移电流 动态平衡：扩散电流=漂移电流 总电流=0 耗尽层宽度稳定不变 势垒 硅0.5V Uo 锗0.1V
少子漂移 补充耗尽层失去的多子，耗尽层变窄，E 多子扩散 失去多子，耗尽层变宽，E P型半导体 + － － + N型半导体 + + + + + － + － + － + － － + + － － － － － 内电场E 多子扩散电流 少子漂移电流 耗尽层 动态平衡： 扩散电流 ＝ 漂移电流 总电流＝0 势垒 UO 硅 0.5V 耗尽层宽度稳定不变 锗 0.1V
2.PN结的单向导电性 ()加正向电压（正偏）一电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动>漂移运动 →多子扩散形成正向电流I? P型半导体空间电荷区N型半导体 O°O°OO O°，⊙°aola 正向电流 O°O°⊙0⊕ 内电场E Ew R
2. PN结的单向导电性 (1) 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场→耗尽层变窄 →扩散运动＞漂移运动 →多子扩散形成正向电流I F － － － － － － － + + － + + + + + － + P型半导体 － － + + N型半导体 + － + EW R 空间电荷区 内电场E 正向电流
(2)加反向电压 电源正极接N区，负极接P区 外电场的方向与内电场方向相同。 外电场加强内电场→耗尽层变宽→漂移运动>扩散运动 →少子漂移形成反向电流IR P l 空间电荷区 在一定的温度下，由本 征激发产生的少子浓度是 一定的，故I趋于恒定， 基本上与外加反压的大小 内电场E 无关，所以称为反向饱和 电流。但与温度有关
(2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区 外电场的方向与内电场方向相同。 外电场加强内电场 →耗尽层变宽→漂移运动＞扩散运动 →少子漂移形成反向电流I R + － － － + － － 内电场 + + － + － + E + － EW － － － + 空 间 电 荷 区 + － R + + + I R P N 在一定的温度下，由本 征激发产生的少子浓度是 一定的，故IR趋于恒定， 基本上与外加反压的大小 无关，所以称为反向饱和 电流。但IR与温度有关
PN结加正向电压时，具有较大的正向 扩散电流，呈现低电阻，PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向 漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导 电性
PN结加正向电压时，具有较大的正向 扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向 漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导 电性