光寻址空间光调制器 器件名称或代号光敏材料有效面积分辨率响应时间对比度 φmm lp/mm t/ms SSFLC GaAs 10 SSFLC a-Si PC 28 SSFLC a-Si HPC 300 国产LCIV,CdS向列相液晶 40 35 30~40 100 Hughes,LCL,Si向列相液晶 43 12 4~16 20 Hamamatsu LiNbo 16 10 50~100100 Micro-channel PROM BSO 5.8
光寻址空间光调制器 器件名称或代号 光敏材料 有效面积 /mm 分辨率 1p/mm 响应时间 t/ms 对比度 SSFLC GaAs 25 10 SSFLC -Si PC 40 28 SSFLC -Si HPC 300 60 国产LCLV，CdS 向列相液晶 40 35 30 ～40 100 Hughes，LCLV, Si 向列相液晶 43 12 4 ～16 20 Hamamatsu Micro-channel LiNbO3 16 10 50 ～100 100 PROM BSO 5.8 0.1
目录2021219 光学信息处理 节72磁光空间光调制器 MOSLM) 第2节 MOSLM是根据法拉第磁光效应设计的 第3节 第4节 第5节 电极 第6节 第7节 像素 离子注入区 图7. MOSLM像素结构示意图 第?拿在图中还有局部减小矫顽力的离子注入
第1节 第2节 第3节 第4节 第5节 第6节 目 录 第7节 第7章 2021/2/19 光学信息处理 17 7.2 磁光空间光调制器(MOSLM) MOSLM是根据法拉第磁光效应设计的. 图7.1 MOSLM像素结构示意图 在图中还有局部减小矫顽力的离子注入 区．
目录2021219 第1节 起偏器、 图72 铝基底 第2节 MOSLM 检偏器 3节器件侧视图MOSM芯片‖N饱和磁化线圈 第4节 第5节 第6节 入射光 出射光 第7节 输入驱动信号 的带状电缆 先通过线圈,在 MOSLM上加上均匀的外磁场, 当撤去外磁场后,每个像素的磁性薄膜内都具有 第7章剩磁,它起到了记忆原来的外磁场方向的作用.18
第1节 第2节 第3节 第4节 第5节 第6节 目 录 第7节 第7章 2021/2/19 光学信息处理 18 先通过线圈，在MOSLM上加上均匀的外磁场， 当撤去外磁场后，每个像素的磁性薄膜内都具有 剩磁，它起到了记忆原来的外磁场方向的作用． 图7.2 MOSLM 器件侧视图
目录2021219 光学信息处理 第节图73给出一对行、列电极L,L2中的电流 第节及它们所产生的磁场方向,A,B,C,D 菊为它们交点处(即寻址坐标)的四个像素单 第4节元 第5节 第6节 第7节 4⊙B G+ D 第7章
第1节 第2节 第3节 第4节 第5节 第6节 目 录 第7节 第7章 2021/2/19 光学信息处理 19 图7.3给出一对行、列电极Ll，L2中的电流 及它们所产生的磁场方向，A，B，C，D 为它们交点处(即寻址坐标)的四个像素单 元．
目量201设原在 MOSLM所加 光学信息处理 第1节 的均匀外磁场,其方向从 LI 第2节 纸面向外.加上图中所 第3节 4@||oa 示的寻址电流后,A 4节单元中行、列电极的电流 第5节 6警生成的磁场方向相反,正 D+ C 好抵消,对剩磁状态没有 ⊙ 第7节 外磁场 影响;B单元的磁场与剩 磁方向一致,也不会改变剩磁状态;只有D单元 的外场与剩磁方向相反,若写入信号产生的磁场 足够大,超过矫顽力,则D单元内剩磁的方向反 转,即D单元被寻址。而远离L1,L2交点的单元 则因磁场强度太小而不起作用 第7章
第1节 第2节 第3节 第4节 第5节 第6节 目 录 第7节 第7章 2021/2/19 光学信息处理 20 设原在MOSLM所加 的均匀外磁场，其方向从 纸面向外．加上图中所 示的寻址电流后，A，C 单元中行、列电极的电流 生成的磁场方向相反，正 好抵消，对剩磁状态没有 影响；B单元的磁场与剩 磁方向一致，也不会改变剩磁状态；只有D单元 的外场与剩磁方向相反，若写入信号产生的磁场 足够大，超过矫顽力，则D单元内剩磁的方向反 转，即D单元被寻址。而远离L1，L2交点的单元 则因磁场强度太小而不起作用． 外磁场 ⊙ ⊙ ⊙ ⊙